常用电力电子器件.PPTVIP

《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.4 功率晶体管（GTR） 2.4.1 GTR的结构 a) b) c) 图2-14 GTR 摸块 a) GTR的结构示意图 b)GTR摸块的外形　c) GTR摸块的等效电路 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.4.2 GTR的参数 (1) UCEO：既基极开路CE间能承受的电压。 (2) 最大电流额定值ICM ： (3) 最大功耗额定值PCM （4）开通时间ton：包括延迟时间td和上升时间tr。 （5）关断时间ｔoff：包括存储时间ｔs和下降时间ｔf 。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.4.3 二次击穿现象 当集电极电压UCE逐渐增加，到达某一数值时，如上述UCEO，IC剧增加，出现击穿现象。首先出现的击穿现象称为一次击穿，这种击穿是正常的雪崩击穿。这一击穿可用外接串联电阻的办法加以控制，只要适当限制晶体管的电流(或功耗)，流过结的反向电流不会太大，进入击穿区的时间不长，一次击穿具有可逆性，一般不会引起晶体管的特性变坏。但是，一次击穿出现后若继续增大偏压UCE，而外接限流电阻又不变，反向电流IC将继续增大，此时若GTR仍在工作，GTR的工作状态将迅速出现大电流，并在极短的时间内，使器件内出现明显的电流集中和过热点。电流急剧增长，此现象便称为二次击穿。一旦发生二次击穿，轻者使GTR电压降低、特性变差，重者使集电结和发射结熔通，使晶体管受到永久性损坏。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.4.4 GTR的驱动电路 抗饱和恒流驱动电路 图2-16 抗饱和恒流驱动电路 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.4.5 GTR的缓冲电路 缓冲电路也称为吸收电路，它是指在GTR电极上附加的电路，通常由电阻、电容、电感及二极管组成，如图2-17所示为缓冲电路之一。 图2-17 GTR的缓冲电路 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 2.5.1 功率场效应管的结构 a) b) 图2-18 P-MOSFET的结构与符号 a) P-MOSFET的结构 b) P-MOSFET符号 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.2 P-MOSFET的工作原理 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源之间电压为零或为负时，Ｐ型区和Ｎ-型漂移区之间的ＰＮ结反向，漏源之间无电流流过。 如果在栅极和源极加正向电压UGS，不会有栅流。但栅极的正电压所形成电场的感应作用却会将其下面Ｐ型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的Ｐ型区表面。当UGS大于某一电压值UT时，栅极下面Ｐ型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使Ｐ型半导体反型成Ｎ型半导体，沟通了漏极和源极，形成漏极电流ID。电压UT称为开启电压，UGS超过UT越多，导电能力越强。漏极电流ID越大。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.3 P-MOSFET的特性 １. 转移特性 ２．输出特性 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 ３. 开关特性 ３. 开关特性 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.4 P-MOSFET的主要参数 1. 漏源击穿电压BUDS 2. 漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 3. 栅源击穿电压BUGS 4. 开启电压UT 5. 极间电容 6. 通态电阻Ron 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.5 Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动 1）触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的可靠触发导通。 2）开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的开关速度。 3）Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波