EMI1级2级滤波器设计方法.pdfVIP

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此培训资料来源于德州仪器(TI )和中国电源学会(世纪电源网)合作 举办的“TI 现场培训”课程,世纪电源网同意在 TI 网站上分享这些文档 。 第三讲 EMI滤波器设计方法 主讲:陈为 博士 福州大学电气工程与自动化学院 教授 中国电源学会常务理事、磁技术专业委员会主任委员 功率变换器磁元件技术系列讲座 2015年3月 1 主要内容 一、开关电源EMI基本概念 二、EMI滤波器理想参数的设计 三、EMI滤波器元件分布参数提取 四、滤波器元件近场耦合效应分析 2 高频磁性元件的全面设计考虑 结构设计 电气设计 杂散参数 损耗设计 温升设计 EMI设计 2 P  0.833 N A L e  T( ) l S e 空间可行性 电气可行性 电应力 效率/功率密度 温升规范 EMI规范 3 二、EMI滤波器理想参数设计 4 滤波器插入损耗IL的定义 在滤波器的设计中,通常用插入损耗来反映使用该滤波 器和未使用前信号功率的损失和衰减程度。插入损耗越大, 表示衰减越多,滤波器的效果越好。 + + 50 50 50 50 v1 v2 滤波器 v v - - v1 插入损耗: IL 20log( ) v2 5

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