微机原理第4章 存储器及其管理.pptVIP

4.4.5 DDR2 SDRAM 和DDR3 SDRAM内存条 2. DDR3内存 DDR3（Double Data Rate 3）SDRAM，即三代双倍速率同步动态随机存储器。它提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压。DDR3 SDRAM的I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS等技术外，另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。表4-3中所列是DDR1、DDR2和DDR3的各指标对照情况。 表4-3 DDR1、DDR2和DDR3的各指标对照情况 指标 DDR1 DDR2 DDR3 电压 VDD/VDDQ 2.5V/2.5V 1.8V/1.8V (+/-0.1) 1.5V/1.5V (+/-0.075) I/O接口 SSTL_25 SSTL_18 SSTL_15 数据传输率(Mbps) 200～400 400～800 800～2000 容量标准 64M～1G 256M～4G 512M～8G 内存延迟值(ns) 15～20 10～20 10～15 CL（CAS Latency）值 1.5/2/2.5/3 3/4/5/6 5/6/7/8 预取设计(Bit) 2 4 8 逻辑Bank数量 2/4 4/8 8/16 突发长度 2/4/8