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第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 III-V族化合物中的杂质能级 2.4 缺陷、位错能级 理想半导体：1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构。2、晶体中无杂质，无缺陷。3电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷——本征半导体。（纯净半导体中，的位置和载流子的浓度只是由材料本身的本征性质决定的） 实际材料中，1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。2、杂质电离提供载流子。 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 一.替位式杂质和间隙式杂质 按照球形原子堆积模型，金刚石晶体的一个原胞中的8个原子只占该晶胞体积的34％，还有66％是空隙！ 二.施主杂质与施主能级 元素P在Si中成为替位式杂质且电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质 2．施主能级 由于共价键是一种很强的化学键，结合非常牢固，共价键上的电子是几乎不可能在晶体中运动的。但P 原子的那个“多余”的价电子被离子实P+ 束缚得相当微弱，这个电子在不大的外场力作用下就可以脱离P+ 的束缚而在Si晶体中自由运动。 从能带的角度来看，处于共价键上的电子就是处在价带中的电子，而那个“多余”的电子并不处在价带中，它只要得到一个很小的能量（只要室温就足够了）就会被激发到导带，成为导带中的传导电子。这就相当于在Si禁带中，在距导带底下方很近的地方有一个能级，在未激发的情况下（例如0K时），那个“多余”电子就处在这个能级上，杂质此时是电中性的。但是稍稍给它一点能量，那个“多余”的电子就将跃迁到导带。杂质P原子也因这个价电子的离开而带正电，此时就称施主杂质电离了。因掺入施主杂质而在禁带中引入的这个能级称为施主能级。 三. 受主杂质和受主能级 2．受主能级 由于B原子欲成4 个共价键尚缺少一个价电子，这样，B原子附近的Si原子共价键上的电子并不需要增加多少能量就可很容易地填补到B原子这个“空缺”的价键上来，并在原来的价键上留下一个新的“空缺”，这就相当于“空缺”在晶体中产生了移动。显然，这个“空缺”还会以同样的机制继续在半导体中运动。从能带上讲就是，由于受主杂质B原子的掺入，在Si的禁带中价带的上方附近将引入一个能级，它就是受主能级EA，它与价带顶EV 之差就是受主电离能。 与施主电离能一样，受主电离能△EA也较小，当受主杂质B的空缺共价键被附近的Si原子共价键上的电子填充而建立起来时，B原子将带负电，我们称之为受主杂质电离。这相当于杂质B向Si的价带发射了一个空穴。掺受主杂质的半导体主要靠空穴导电，所以称之为p型半导体。在p型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 从物理图像上看，在晶体禁带中出现杂质能级，实际上是由于杂质原子替代了母体材料的原子，引起晶体的局部势场发生改变，从而使得一部分电子能级从允带中分离出来。例如，Nd个施主的存在使得导带中Nd个能级下移到禁带的ED处；而Na个受主的存在使得价带中Na个能级上移到禁带的EA处。 四.杂质浅能级电离能的简单计算 在掺杂浓度不很高时，不论是施主杂质还是受主杂质，都可以看成一个类氢原子。因此可以用氢原子的理论研究结果来讨论杂质电离能问题。当然，必须作一点修正： （1）因为正、负电荷均处于晶体内，所以要考虑晶体介电常数的影响； （2）电子（空穴）是在能带中运动，所以要用有效质量代替氢原子理论中的惯性质量。 四.杂质浅能级电离能的简单计算 五. 杂质补偿作用 在同一块半导体材料中如果同时存在有两种类型的杂质，则该半导体的导电类型主要取决于掺杂浓度高的杂质。例如：若Si中的P 浓度高于B浓度，则该块Si材料是n型半导体。但是，与同样掺P 浓度的单一掺杂情况比较，由于有受主的存在，被激发到导带的电子数将会减少（因为此时有一部分施主能级上的电子将会落入受主能级），这种现象称为杂质补偿。如果掺杂情况相反，则该块材料为p型半导体。 五. 杂质补偿作用 六.深能级杂质 非Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge禁带中也产生能级，其特点为： 非Ⅲ、Ⅴ族元素在Si、Ge禁带中产生的施主能级ED距导带底Ec较远，产生的受主能级EA距价带顶Ev较远，这种杂质能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。 深能级杂质可以多次电离，每一次电离相应有一个能级，有的杂质既引