模拟电子技术典型试题.docxVIP

模拟电子典型习题解答 第一章 1.1电路如图题1.1所示。利用硅二极管恒压降模型求电路的Id和Vo 的值。 解: (10 — 2x0.7)V 1x103Q = 8.6x107 A = 8.6 曲 图题1.1 Vo =2Vl} = 2x0.7V = 1.4V 1.4二极管电路如图1.4所示，试判断图中的二极管是导通还是截止, 并求出AO两端 电压Vao。设二极管是理想的。 I) 图1.4 解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为一6V,阴极电位为一12V,故 D处于正向偏置而导通，Vao=-6V。 图b： D的阳极电位为一15V,阴极电位为一12V, D对被反向偏置而截止，VAO=-12Vo 图c：对D】有阳极电位为0V,阴极电位为一12V,故D］导通，此后使D?的阴极电位为 0V,而其阳极为一15V,故D2反偏截止，Vao二0V。 图d：对Di有阳极电位为12V,阴极电位为0V,对D2有阳极电位为12V，阴极电位为 -6V.故D2更易导通，此后使Va=-6V： D］反偏而截止，故Vao=-6Vo 1?7电路如图题1.7所示，D” D?为硅二极管，当Vj= 6 singjtV Bt，试用分析输出电压vo 的波形。 解 当 0|Vi|0.7V 时，D|、D?均截止，vo=vi；当 Vj^O.7V 时；D】导通，D?截止，v0 = 0. 7V；当ViW0.7V时,D2导通,Di截止,vo=-0. 7VO v占v。波形如图解1.7b所示。 (a) (b) 图题1?7 第二章 2.2测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为Va= — 8 V, VB = —3V, Vc = 3. 2 V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此 BJT是NPN管还是PNP管。 解 由于错BJT的|Vbe|^0.2V,硅BJT的|VBE|^0. 7V,已知用BJT的电极B的Vb = 一 3V,电极C的V c= -3. 2 V,电极A的V A=-8 V,故电极A是集电极。又根据BJT 工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C 是基极，且此BJT为PNP管。 2.3测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 (a) Vc=6 V VB=0.7 V VE=0 V (b) Vc=6 V VB = 2 V VE=1.3 V (c) Vc=6 V Vb = 6V Ve=5.4 V (d) Vc=6 V Vb=4V Ve=3.6 V (e) Vc=3?6 V Vb=4 V Ve=3.4 V ? (a)放大区， 因发射结正偏， 集电结反偏。 (b)放大区，Vbe=(2—1. 3) V=0. 7 V, VCb=(6—2) V=4 V,发射结正偏, 集电结反偏。 (C)饱和区。 截止区。 题图2.6饱和区。 题图2.6 2.6 一个MOSFET的转移特性如图题2.6所示(其屮 漏极电流iD的方向是它的实际方向)。试问： 该管是耗尽型还是增强型？ 是N沟道还是P沟道FET? 从这个转移特性上对求出该FET的夹断电压 Vp,还是开启电压Vt?其值等于多少？ 解由图题2.6可见，它是P沟道增强型MOSFET,其 Vt=—4 V。 第三章 3?1试分析图题3. 1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。（设各电 容的容抗可忽略） 解图题3?la无放大作用。因Rb=O, —方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子； 另一方面使输人信号W被短路。 图题3. lb有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。 图题3. lc无交流放大作用，因电容Cm隔断了基极的直流通路。 3.3 设图题 3. 1 (b)所示的电路，P =80,电阻 Rb=470kQ, Vcc=12V, Rc=3.9kQ, 求电路中的Ib、Ic和Vce的值，设Vbe=0. 7 Vo 解 I = cc _ % = 0.024mA I c = 01B = 80 x 0.024mA = \.92mA ^ce = Vcc —，cRc = 4.5V 3?5单管放大电路如图题3.5所示已知BJT的电流放大系数P =50o （1）估算Q点； （2）画出小信号等效电路；（3）估算BJT的朝人电阻％； （4）如输出端接入4 kQ的电 阻负载，计算人,=%及入疮=% o 解（1）估算Q点 *=玄=400 1（：=阻=2mA Rb （2）简化的小信号等效电路如图解342所示。 （3）求 ％ 么=200Q + (1 + 0) 么=200Q + (1 + 0) 26m V 沁+ (1 + 50)嚮 = 863Q (4)--116 (4) --116 —r—ort.At.图题3.5 —r—ort. At. 图题3.5 3.9电路如