IRF540中文数据手册要点.docxVIP

IRF540 N 沟道 MOS 管 特性 ‘Thrench ’工艺低的导通内阻快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC 到 DC 转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540 中提供的是 SOT78(TO220AB) 常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是 SOT404(D PAK) 表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ?C to 175 ?C - 100 V V_DGR 漏门极电压 Tj = 25 ?C to 175 ?C; - 100 V V_GS 门源极电压 RGS = 20 k ? - ± 20 V I_D 连续漏电流 - 23 A Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V - 16 A I_DM 脉冲漏电流 Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V - 92 A P_D 总功耗 Tmb = 25 ?C - 100 W Tj ，Tsig 操作点和 Tmb = 25 ?C -55 175 ℃ 存储温度 雪崩能量极限值 符号 参数 非重复性雪 EAS 崩能量 最大非重复 I AS 性雪崩电流  条件 最小值 最大值 单位 Unclamped inductive load, IAS = 10 A; - 230 mJ tp = 350 s; μTj prior to avalanche = 25?C; VDD ≤ 25 V; RGS = 50 ?; VGS = 10 V; - 23 A refer to fig:14 热敏电阻 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Rthj 安装底座交界 - - 1.5 K/W mb 处的热阻 Rthj 周围环境热阻 SOT78 封装，自由空间 - 60 - K/W a SOT404 封装， PCB 上 - 50 - K/W 电特性 25℃ 除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 V( BR) DSS 漏源极崩溃电压 VGS =0V ； I D =0.25mA 100 - - V Tj = - 55?C 89 - - V VGS(TO) 门阀电压 VDS = VGS ; ID = 1 mA 2 3 4 V Tj = 175?C 1 - - V Tj = - 55?C - - 6 V RDS( ON ) 漏源极导通电阻 VGS =10V;ID=17A - 49 77 mΩ Tj = 175?C 132 193 mΩ g fs 向前跨导 I GSS 门源极泄漏电流 I DSS 0门极电压漏电流 Qg (tot ) 总共门极电荷 Qgs 门源极电荷 Qgd 门漏极电荷 Td on 开启延迟时间 Tr 开启上沿时间 Td off 关闭延迟时间 Tf 关闭下沿时间 Ld 内部漏电感 Ld 内部漏电感 Ls 内部源极电感 CiSS 输入电容 CoSS 输出电容 CrSS 反馈电容  VDS =25V; I D =17A 8.7 15.5 - S VGS =±20 V; VDS =0V - 10 100 nA VDS=100V;VGS=0V - 0.05 10 uA VDS=80V;VGS=0V; Tj= 175?C - - 250 uA ID=17A - - 65 nC VDD = 80 V; - - 10 nC VGS=10V - - 29 nC VDD =50V; RD = 2.2 ?; - 8 - ns VDD =10V; RG =5.6? - 39 - ns Resistive load - 26 - ns - 24 - ns Measured tab to centre of die - 3.5 - nH Measured from drain lead to centre - 4.5 - nH of die (SOT78 package only) Measured from source lead to source - 7.5 - nH bond pad VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz - 890 1187 pF - 139 167 pF - 83 109 pF 反向二极管极限值及特性 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 - - 23 A I S IF =28A； 脉冲源极电流 - - 92 A I SM VGS =0V 二极管正向电压 - 0.94 1.5 V VDS 反向恢复之间 - 61 - ns t rr