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- 2019-08-21 发布于天津
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半导体隧穿钝化技术及其工艺装备在半导体和光伏领域的应用孙嵩泉普乐新能蚌埠有限公司年月日量子隧穿效应及其应用在半导体芯片工艺中有一层的隧道层此膜层的存在可以实现量子隧穿效应而此膜层的均匀性及结构可以直接影器件的量子隧穿效应根据量子隧穿效应制造的场效应晶体管称为隧穿场效应晶体管简称根据量子隧穿效应制造的太阳能电池称为隧穿氧化钝化接触太阳能电池简称隧穿场效应晶体管与传统的场效应晶体管比较传统的场效应利用外加压隧穿场效应利用利用压来控形成电场引起器件沟道区由耗制半导体中载流子的带带隧穿过程尽状态逐步变成
Applications of Tunnel Oxide Passivation and LPCVD
technologies in semiconductor devices
and TOPCon solar cells fabrication processes
半导体隧穿钝化技术及其工艺装备LPCVD
在半导体和光伏领域的应用
孙嵩泉
普乐新能 (蚌埠)有限公司
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