第二章-半导体二极管极其基本电路.pptVIP

2.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、箝位等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 5. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N 由于CB和CD一般都很小（结面积小的为1pF左右，结面积大的为几十至几百pF），对于低频信号呈现出较大的容抗，其作用可忽略不计，因而只有在信号的频率较高时才考虑结电容的作用。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 半导体二极管图片 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4 二极管基本电路极其分析方法 1. 理想模型 iD vD 0 iD vD=0V 2. 恒压降模型 iD vD 0 iD vD =0.7V 3. 折线模型 iD vD 0 iD vD rD 误差最大 应用最普遍 误差最小 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） iD vD 0 ΔiD ΔvD rd 2.4.2 应用举例 例1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （1） R=10k? ，VDD=10V 时 恒压模型（硅二极管典型值） 习惯画法 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） rD 2. 限幅电路 例2 求（1）vI=0V ,4V,6V时输出电压的值；（2） 当 时，画出vO的波形。 解: (1)考虑输入电压不高，故采用折线模型来分析 3V * 电子技术基础 第二章 半导体二极管及其基本电路 模拟电路部分 第二章 半导体二极管及其基本电路 § 2.1 半导体（semiconductor ）的基本知识 § 2.2 PN结的形成及特性 § 2.3 半导体二极管（diode） § 2.4 二极管基本电路及分析方法 §2.5 特殊二极管 2.1.1 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗Ge 、硅Si 、砷化镓GaAs和一些硫化物、氧化物等。 §2.1 半导体的基本知识 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 2.1.2 半导体的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的离子 2.1.3 本征半导体 一、本征半导体的结构特点 Ge Si 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4