第2章-半导体能带-zhaowr-2010更新.ppt

* 物理与光电工程学院 2.6.6 缺陷和位错能级 晶体中存在缺陷和位错的地方，严格的周期势场也会发生畸变，这些缺陷可以在半导体的禁带范围内引入电子能态而成为禁带中的缺陷或位错能级，这些能级一般也是深能级。 如：硅、锗中的空位引起不饱和的共价键存在，这些键倾向于接受电子而表现为受主作用；间隙硅可以失去未形成共价键的电子而表现出施主作用。 * 物理与光电工程学院 2.6.7 III、V族化合物半导体中的杂质及杂质能级 掺入II族原子替位III族原子起受主作用； 掺入VI族原子替位V族原子起施主作用； 掺入IV族原子，若替位III族原子起施主作用，若替位V族原子起受主作用。 * 物理与光电工程学院 作业：P44， 1；P62，3 * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks Next：第3章 半导体中载流子的统计分布 Chapter 3 Statistical Distribution of Carrier  * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 设k0S表示第s个极值所对应的波矢，s=1,2,3,4,5,6,极值对应的能量为Ec。 k0S沿100方向，共有六个。 则s个极值附近椭球等能面的方程为： * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 若只考虑其中一个等能面(如[001]上的一个)时， 并选取Ec=0，以及k0S 为坐标原点，坐标轴的选取如右图所示。 显然，k1，k2有相同的有效质量，称为横向有效质 量，可表示为： * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 沿k3轴的有效质量，称为纵向有效质量，即 于是，该椭球的等能面方程为： 对其他五个椭球面也可以写出类似的方程。 如果k1，k2轴选取恰当，可使计算简单。选取k1使B位于k1轴和k3轴所组 成的平面内，且与k3轴交角为θ，则在这个坐标系里，B的方向余弦为： * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 可得到： 代入 因此，只要找出磁场B与6个100方向(6个椭球长轴方向)的夹角，即可找到吸收峰的个数。 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 （1）当磁场沿[111]方向，B与6个100方向的夹角均给出： 故只有一个吸收峰。 因此，只有一个有效质量值，即： * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 故有两个吸收峰。 * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 和 故有两个吸收峰。 * 物理与光电工程学院 2.4.4 N型硅的回旋共振实验结果解释 （4）当磁感应沿任意方向时，B与6个100方向的夹角可以给出三种不同的cosθ的值，对应三个有效质量，因此可以观察到三个吸收峰。 4K时n型硅对23GHz微波吸收的实验结果 由实验数据获得: * 物理与光电工程学院 思考题： 设N型硅中导带底电子的能量为Ec, 导带底附近的电子的横向有效质量和纵向有效质量分别为mt和ml，且 在k空间中其等能面中心离原点距离为k0,写出电子的等能面方程。 * 物理与光电工程学院 2.5 硅、锗和砷化镓的能带结构 * 物理与光电工程学院 2.5.1 面心立方晶格的布里渊区 1）求作面立方晶体的倒格子 倒格子为体心立方,边长为4?/a * 物理与光电工程学院 2.5.1 面心立方晶格的布里渊区 2）选体心为原点，则由体心向顶角的8个倒格点(最近邻的倒格点)引倒格矢，作最近的倒格矢的垂直平分面，构成一个八面体。 3）由体心向周围6个次近倒格点(体心)引倒格矢，作它们的垂直平分面，将八面体截去6个角，构成6个正方形的面。次近倒格矢的垂直平分面方程为： * 物理与光电工程学院 2.5.1 面心立方晶格的布里渊区 因此，面心立方第一布里渊区是由8个六边形和6 个正方形围成的十四面体，如下图所示。 面心立方晶格第一布里渊区 注意各代表点的表示：?、X、K * 物理与光电工程学院 2.5.2 硅和锗的能带结构 硅的导带等能面 回旋共振实验并不能决定导带极值的位置。施主电子的自旋共振实验得出，硅的导带极值位于[100]方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 1.硅和锗的导带结构 * 物理与光电工程学院 2.5.2 硅和锗的能带结构 锗的导带等能面 N型锗的实验结果表明，锗的导带极小值 位于[111]方向的简约布里渊区边界上，共有八个。极值 附近 的等能面为沿[111]方向旋转的八个旋转椭球面，每个椭球面有半个在布里渊区内，因此在简约布 里渊区内共有四个椭球。 * 物理与光电工程学院 2.5.2 硅和锗的能带结构 式中正、负代表两支能带， K=0处两个能