微电子制造技术氧化硅的湿法刻蚀-icaredbd.pptVIP

微电子制造技术第 16 章 刻 蚀 概 述 刻蚀是将硅片表面上淀积的各种绝缘介质、金属薄膜等按照掩膜版的图形结构选择性的去除，以便形成各种各样的器件结构和电路的互连。 刻蚀工艺是在显影检查完后进行，一旦膜层材料被刻蚀去除，在刻蚀过程中所造成的缺陷将无法弥补而使整个硅片报废。 刻蚀的要求取决于要制作的图形类型。如金属层、多晶硅栅、隔离槽、通孔等。因为结构的不同，所以具有大量不同刻蚀参数的材料。 特征尺寸的缩小使刻蚀工艺对尺寸的控制要求更加严格，也更加难以检测。 学 习 目 标 1. 了解9个主要的刻蚀参数； 2. 描述干法刻蚀的优点及基本原理； 列举一个介质、硅、金属干法刻蚀的实际 例子； 4. 熟悉湿法刻蚀及其应用； 了解刻蚀检查以及相关的重要的质量测量 方法。 刻蚀原理 刻蚀是利用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。因此，刻蚀过程中光刻胶层起着有效保护下面的膜层不受浸蚀的作用。图16.1是常规COMS栅刻蚀工艺示意图。 刻蚀工艺 刻蚀工艺的类型 湿法刻蚀 干法刻蚀 需要刻蚀的三种主要材料 硅 介质 金属 有图形的刻蚀和无图形的刻蚀 刻蚀参数 为了将掩膜图形复制到硅片表面的材料上，刻蚀必须满足一些特殊的要求，包括以下刻蚀参数