模拟电子技术第1章 常用半导体器件.pptVIP

（2）工作原理 N沟道结型场效应管接成如图所示。 通过栅源间反偏电压的变化实现对漏极电流的控制作用。 当UGS＝0时，如图（a）所示。PN结不承受反向电压，此时漏极电流最大，称之为漏极饱和电流IDSS 。当UGS＞0时，如图（b）所示。PN结承受反向电压，此时，耗尽层变宽，导电沟道变窄，漏极电流变小。栅源极间的负电压UGS越大，耗尽层越宽，导电沟道越窄，漏极电流越小。图（c）为栅源极间的负电压UGS大到某一定程度时，两边的耗尽层相遇，导电沟道被夹断，漏极电子流趋向于零，此时的栅源间电压称为夹断电压，用UGS（off)表示。 2.结型场效应管的特性曲线 （1）转移特性曲线 转移特性曲线指漏源电压UDS一定时，栅源电压UGS对漏电极电流ID的控制关系曲线。 （2）输出特性曲线 输出特性曲线指栅源电压UGS 一定时，漏电极电流ID与漏源电压UDS之间的关系。 3.结型场效应管的主要参数 （1）夹断电压UGS（off） （2）饱和漏电流IDSS （3）漏源击穿电压U（BR）DS （4）直流输入电阻RGS （5）低频跨导gm （6）最大耗散功率PDM 1.4.2绝缘栅场效应管 （1）结构及符号 N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构如图1-26（a）所示。1-26（b）所示为N沟道增强型MOS管的符号，箭头方向表示衬底与沟道间是由P指向N， 即可识别出该管是N沟道，1-26（c）为P沟道增强型MOS管的符号，箭头方向与图1-26（b）相反。 * * * * 第1章 常用半导体器件 1.1 半导体和PN结 1.2 半导体二极管 1.4 场效应管 1.5 特殊二极管 1.3 半导体三极管 1.6实训 本章要求： 1. 了解N型和P型半导体结构 理解PN结的形成及单向导电性 掌握二极管的伏安特性和三极管的放大作用 熟悉二极管和三极管的主要参数 第1章 常用半导体器件 1.1.1 半导体的特性: 1.自然界中的各种物质，按导电能力可划分为导体、绝缘体和半导体三大类。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体对温度敏感。 半导体对光照敏感。 半导体掺杂后导电能力剧增。 1.1 半导体和PN结 2.半导体共价键结构： 在电子器件中，常用的半导体材料是硅（Si）和锗(Ge)。完全纯净、结构完整的半导体晶体，称为“本征半导体”。 在共价键的束缚下，其原子的最外层电子不像金属那样容易挣脱出来而成为自由电子，在外界条件为热力学零度和无外界激发时，价电子不能自由移动，此时半导体是不导电的。 自由电子和空穴都称为载流子。由于不断地本征激发，又不断地复合，在一定的温度或光照条件下达到动态平衡，这时半导体中的两种载流子数目保持相对稳定。当温度越高、光照越强，半导体中的两种载流子的数目越多，导电性能就越好。 3.杂质半导体 在本征半导体中有选择地掺入微量的其它元素，我们称之为“杂质半导体”，掺杂后半导体的导电能力显著增加。 N型半导体 P型半导体 1.1.2 PN结 1.PN结的形成 自由电子和空穴都要从各自浓度高的区域向浓度低的区域扩散，在N型半导体和P型半导体的交界面两侧形成了一个很薄的区域通常称为 “空间电荷区”，也称之为“PN”结。 正负空间电荷在交界面形成一个电场，称为内电场，其方向是从N区指向P区。 2.PN结的单向导电性 在PN结两端外加电压，称为给PN结以偏置电压。 （1）PN结加正向电压（正向偏置） 多数载流子的扩散运动得到加强，形成较大的正向电流。 电流的实际方向从P区流向N区。这时PN结处于正向导通状态。 （2）PN结加反向电压（反向偏置） 多数载流子的扩散运动得到加强，形成较大的正向电流。 电流的实际方向从P区流向N区。这时PN结处于正向导通状态。 只有少数载流子的漂流运动被增强而形成很微弱的电流，称为反向电流。此时PN结呈现的电阻很高。 综上所述，在PN结上加正向电压时，PN结电阻很小，正向电流很大，PN结处于导通状态；在PN结上加反向电压时，PN结电阻很大，反向电流很微小，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。 1.2.1半导体二极管的基本结构与类型 半导体二极管是由一个PN结组成，在P型区和N型区两侧各接上电极引线，再用管壳封装。 在电路中，常用普通二极管下图所示符号表示 1.2 半导体二极管 半导体二极管的种类很多，按半导体材料的不同，可分为硅二极管和锗二极管等；按用途的不同，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等；按内部结构的不同，可分为点接触型和面接触型两类。 1.2.2半导体二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指通过二极管的电流与其两端电压之间的关系。 1．正向特性 正向特性指二极管两端外加正向电压，硅管的正向导通压降约为0.6～0.7V，锗管约为0.2～0.3V