NMOS工艺流程模拟及电学参数提取模拟实验.docVIP

实验二 NMOS工艺流程模拟及电学参数提取模拟实验 一、实验目的 1. 熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境； 掌握基本的nmos工艺流程，以及如何在TCAD环境下进行nmos工艺流程模拟； 掌握器件参数提前方法，以及不同工艺组合对nmos晶体管的阈值电压、薄层电阻等电学参数的影响； 二、实验要求 ① 仔细阅读实验内容，独立编写程序，掌握基本的TCAD使用； ② 熟悉nmos晶体管的基本工艺流程，和关键工艺参数； ③ 记录Tonyplot的仿真结果，并进行相关分析。 三、实验内容 1. nmos晶体管整体工艺模拟 设计nmos晶体管工艺流程模拟程序，运行得到相应的器件模型(参考教程p57~p60页程序) NMOS晶体管的基本工艺流程： a.衬底硅氧化：在衬底表面产生一层相对较厚的SiO2有选择地刻蚀氧化区，暴露出将来用来生成MOS晶体管的硅表面； b.用一高质量的氧化物薄膜覆盖在Si表面，这层氧化物最终将形成MOS晶体管的栅极氧化物； c.在薄氧化层顶部淀积一层多晶硅。多晶硅可以用做MOS晶体管的栅电极材料，也可以用做硅集成电路中的互连线； d.成型和刻蚀多晶硅层，形成互连线和MOS管的栅极，刻蚀未覆盖多晶硅的那层薄栅极氧化物，裸露出硅表层，这样就可以在其上面形成源区和漏区了； e.通过扩散或离子注入的方式，整个硅表层就会被高浓度的杂质所掺杂，形成源区和漏区； f.用