模拟电路分析制作与调试06放大电路分析与设计（一）.pptVIP

项目2 音频前置放大器设计与制作 2.1 明确任务，制定计划，安排进度 2.2 放大电路分析与设计 2.1 明确任务，制定计划，安排进度 读懂并理解项目任务书中所描述的任务目标及要求 制定计划 本项目用时3周 扩音机的组成 音频前置 放大器 功率 放大器 直流稳压电源 能力目标 能够正确识别、检测和选用三极管。 能够对典型放大电路进行分析和计算。 能够按照电路图焊接电路。 熟练使用万用表、信号发生器、模拟示波器进行电路参数的测试。 能对制作完成的电路进行测试以满足设计要求 2.2 三极管放大电路分析 本次课学习目标 半导体三极管的结构 三极管电流分配关系 三极管放大条件 三极管的伏安特性 放大电路的组成原则及各元件的作用 2.2 三极管放大电路分析 本次课能力目标 能够判断三极管的极性 能够判断三极管的工作状态 会画阻容耦合放大电路电路图 2.2 三极管放大电路分析 放大电路的作用 输入小信号，输出大信号 基本框图 – + + – 信号源 输入 + – 输出 负载 放大 电路 半导体三极管（晶体管）的结构 三个区：发射区、基区、集电区 三个极：发射极e、基极b、集电极c 两个结：发射结Je 、集电结Jc N P N c b e 集电区 发射区 基区 集电结Jc 发射结Je 发射极 基极 集电极 晶体管的分类 按结构分：ＮＰＮ型、ＰＮＰ型 按材料分：硅管、锗管 按用途分：放大管、开关管、功率管 按耗散功率分：小功率管、大功率管 按工作频率分：高频管、低频管 e b c NPN型 e b c ＰNP型 结构特点 发射区的掺杂浓度最高； 基区的掺杂浓度最低； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 管芯结构剖面图 晶体管的电流分配与放大原理 晶体管放大的条件 内部条件：晶体管结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 NPN型：Vc Vb Ve PNP型：Vc Vb Ve 晶体管的放大作用的本质是它的电流控制作用，即ib对ic和ie的控制作用。 晶体管的电流分配与放大原理 以发射极为公共端，令UCE ＞ UBE，则 UBC＜０。 IC IB IE N P N c b e VＢＢ VCC Rb RC e b c VCC VＢＢ IC IB IE Rb RC 电流关系： 晶体管的电流分配与放大原理 N P N c b e VＢＢ VCC Rb RC Je Jc IE IＢＮ IＣＮ ICBO 放大电路的三种基本组态 e b c uBE + – uCE + – iE iB iC e b c + – uBE + – uCB iE iC e b c + – + – uCB uCE iB iE 共射组态 共基组态 共集组态 三极管的伏安特性 输入特性 uCE固定时，iB与uBE的关系，即： uCE=0 uCE≥1V 三极管的伏安特性 输出特性 iB固定时， iＣ与uＣE的关系，即： 截止区：iB≤0,Je和Jc均反向偏置 饱和区：uCE uBE ,Je和Jc均正向偏置。 放大区：iB 0，uCE uBE ,Je正向偏置，Jc反向偏置。 晶体管的主要参数 电流放大系数 （１）共射电流放大系数 直流： 交流： 晶体管的主要参数 （２）共基电流放大系数 直流： 交流： 晶体管的主要参数 极间反向电流 (1)反向饱和电流ICBO　 发射极开路时，集电极C和基极B之间的电流 (2)穿透电流ICEO　 基极开路时，集电极C到发射极E之间的电流 ICEO=（1+β）ICBO e b c μＡ ＩＣＢＯ e b c μＡ ＩＣＥＯ 晶体管的主要参数 极限参数 （１）集电极最大允许电流ＩＣＭ （２）集电极最大允许功耗ＰＣＭ ＜ＰＣＭ 晶体管的主要参数 反向击穿电压 极间允许加的最高反向电压 Ｖ（ＢＲ）ＣＢＯ：发射极开路时，c-b间的反向击穿电压 Ｖ（ＢＲ）ＣＥＯ：基极开路时，c-e间的反向击穿电压 Ｖ（ＢＲ）ＥＢＯ：集电极开路时，e-b间的反向击穿电压 二极管、三极管的命名方法 由5部分组成 第一部分：用数字表示半导体器件的有效电极数目 2---二极管 3---三极管