模拟与数字电路第10章半导体存储器.pptVIP

图10-2-2所示为由6只N沟道增强型MOS管组成的静态存储单元电路。 2.静态存储单元 图10-2-2六管NMOS静态存储单元 第10章半导体存储器 10.1只读存储器 10.2随机读写存储器 10.3存储器容量的扩展 本章将系统介绍半导体存储器的电路结构及工作原理，讲述存储器扩展容量的方法，介绍用存储器设计组合逻辑电路的概念、可编程逻辑器件的原理及应用。 学 习 要 点 1.熟悉ROM的不同类型，了解相应的电路结构及工作原理。 2.熟悉RAM的不同类型，了解相应的电路结构及工作原理。 3.掌握ROM和RAM的区别。 4.掌握存储器扩展容量的方法。 5.掌握用存储器设计组合逻辑电路的原理及方法。 存储器就是存储信息的设备或组件。 存储器的种类很多，常见的有磁盘、磁带、光盘、电荷耦合器件以及半导体存储器等。 半导体存储器以半导体器件为基本存储单元，存储大量的二值数据（0或1），用集成工艺制成，属于大规模集成电路。 半导体存储器目前主要用于计算机的内存储器和数字系统的存储设备。 半导体存储器的种类很多，根据用户能对存储器进行的操作分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类；从制作工艺上，又把存储器分为双极型和MOS型。双极型存储器工作速度高，但制造工艺复杂，成本高，功耗大，集成度低，主要用于高速场合。 MOS型存储器制造工艺简单，成本低，功耗小，集成度高，所以目前大容量的存储器都是采用MOS型存储器。 10.1只读存储器 只读存储器（ROM）有各种各样的类型，根据采用的基本存储单元工作原理的不同，可分为固定内容的只读存储器、光擦除可编程的只读存储器（EPROM）、电擦除可编程的只读存储器（E2PROM）等。 习惯上根据存储器的数据能否改写将存储器分为以下三类： 固定内容的只读存储器（ROM）； 一次改写的只读存储器（PROM）； 可多次改写的只读存储器（EPROM，E2PROM）。 固定内容的只读存储器（ROM）是采用掩模工艺制作的，存储器的数据在芯片的制作过程中就确定了。 产品出厂时存储的数据已经固化在芯片上。 数据只能读出，不能写入。 ROM的电路结构如图10-1-1所示。 1.固定内容的只读存储器（ROM） 图10-1-1ROM结构示意图 存储矩阵是ROM的主体，一个ROM由若干个基本存储单元组成，每个基本存储单元可存放一位二值代码，基本存储单元可以用二极管构成，也可以用三极管或MOS管构成。 为了存取方便，通常将存储单元设计成矩阵形式，所以称为存储矩阵。 图10-1-2所示为2位地址输入端，4位数据输出端，由二极管构成的ROM电路。 图3-3-1零点漂移 全部地址内的存储内容如表10-1-1所示。 表10-1-1全部地址内的存储数据 图10-1-2可用图10-1-3所示的ROM阵列结构示意图来表示。 图10-1-3ROM阵列结构示意图 PROM的电路结构与固定只读存储器一样，也是由存储矩阵、地址译码器和输出部分组成。 但是其存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储器件，相当于在所有的存储单元内都存入了1。 存储器件的原理图如图10-1-4所示。 2.一次改写的只读存储器（PROM） 图10-1-4熔丝型PROM的存储单元 由于存储单元工作原理不同，可多次改写的只读存储器有各种各样的类型，常见的如光擦除可编程的只读存储器（EPROM）、电擦除可编程的只读存储器（E2PROM）等。 3.可多次改写的只读存储器（EPROM，E2PROM） 光擦除可编程的只读存储器（Ultra—Violet Erasable Programmable Read Only Memory, UVEPROM）是最早投入使用的EPROM，我们习惯上所说的EPROM就是指光擦除可编程的只读存储器。 如果将PROM存储单元中的熔断丝用浮置栅雪崩注入MOS管（Floating—gate Avalanche—Injection Metal—Oxide—Semiconductor, FAMOS管）代替，由于FAMOS管的特性，用户可以实现信息的多次写入和擦除。 （1） EPROM FAMOS管的结构和符号示意图如图10-1-5所示。 图10-1-5FAMOS管的结构和符号示意图 它与普通MOS管类似，但是栅极浮置在SiO2层中，与其他部分没有任何连接，处于完全绝缘的状态，栅极