模拟与数字电路第6章逻辑门电路.ppt

由图6-3-1（a）MOS管开关电路可以看出，当ui≤UT时（ui=uGS），MOS管工作在截止区，只要漏极负载电阻RD远远小于MOS管的截止电阻RDS OFF，在输出端就会输出高电平UoH≈UDD，此时的漏源极间相当于一个断开的开关。 只要电路参数选择合理，就可以做到输入为低电平时MOS管截止，开关电路输出高电平；而输入为高电平时MOS管导通，开关电路输出低电平。 2. MOS管的开关特性 6.3.2CMOS反相器 CMOS逻辑门电路是目前应用较为普遍的逻辑电路，它同NMOS一样，适宜制作大规模集成电路（如存储器和微处理器等），下面先讨论CMOS反相器，然后再介绍其他CMOS逻辑门电路。 CMOS反相器如图6-3-2所示，它由一对增强型NMOS和PMOS管组成，其中VT1为驱动管，而VT2为负载管。 图6-3-2CMOS反相器 在正常工作时，VT1和VT2管总是一个导通而另一个截止，即工作在互补状态。 因此，被称为互补对称式MOS电路（Complementary-Symmetry MOS Circuit，CMOS电路）。 1. CMOS反相器的工作原理 2.CMOS反相器电压传输特性和电流特性 （1） 电压传输特性 图6-3-3（a）所示为CMOS反相器的电压传输特性。 图中分为五段，下面讨论各段的工作情况。 图6-3-3CMOS反相器的电压传输特性和电流特性 图6-3-2示出了UDD为15V和10V不同值时CMOS反相器的电压传输特性。 图6-3-2示出了UDD为15V和10V不同值时CMOS反相器的电压传输特性。 （2） 输入噪声容限 图6-3-2CMOS反相器 由图6-3-3（b）中可以看到，输入电压ui在1/2UDD附近时，VT1和VT2管同时导通，输出电流最大，出现了一个尖峰。 （3） 输入电流特性 图6-3-3CMOS反相器的电压传输特性和电流特性 由于MOS管的二氧化硅绝缘层很薄，存在较大的电容效应，极易被击穿（耐压约100V），所以必须采取保护措施。 图6-3-5示出了74HC系列CMOS器件的输入保护电路形式，虚线内为输入保护电路，C1、C2为CMOS的栅极等效输入电容。 3. CMOS反相器的输入端保护 图6-3-4不同UDD时CMOS反相器的噪声容限 图6-3-5 74HC系列的输入保护电路 由于CMOS反相器中的NMOS和PMOS管在导通时均工作在可变电阻区，其输出电压随负载电流不同而变化。 4. CMOS反相器的输出特性和负载能力 （1） 低电平输出特性 （2） 高电平输出特性 图6-3-6CMOS反相器的输出特性 （1） 静态功耗PS （2） 动态功耗PD 5. CMOS反相器的功率损耗 虽然CMOS门电路的开关过程中，没有电荷的积累和消散现象，但是由于集成电路内部电阻、电容的存在，以及负载电容的影响，输出电压的变化仍然滞后于输入电压的变化，产生传输延迟时间，图6-3-7所示为CMOS反相器传输延迟特性。 6. CMOS反相器的传输延迟特性 由于CMOS电路的输出电阻比TTL电路的输出电阻大得多，所以负载电容对传输延迟时间和输出电压的上升、下降时间影响最大。 流过电容的电流与其两端电压之间的关系如下： 图6-3-7CMOS反相器的传输延迟特性 图6-1-13TTL与或非门电路结构图 与或非门的电路结构如图6-1-13所示，图中的输入级采用两个多发射极三极管组成“与或”逻辑形式。 3. 与或非门 图6-1-14TTL异或门电路结构图 典型的异或门电路如图6-1-14所示。 4.异或门 为满足用户在提高工作速度和降低功耗这两方面的要求，继上述的74系列电路之后，又相继研制和生产了74H、74S、74LS、74AS、74ALS系列等改进的TTL电路。 5. TTL电路的改进 由74系列TTL与非门的工作过程可知，其产生传输延迟时间的主要原因是电路内各三极管工作在深度饱和状态。 为了提高TTL与非门的开关速度，必须设法降低各三极管的饱和深度。 第二方面是减小了电阻的阻值，却使电路的静态功耗增大，通常74H系列电路的电源平均电流均为74系列电路的两倍。 因此，74H系列电路的改进效果并不理想。 （1） 74H系列 74S系列又称为肖特基系列。为了进一步提高开关速度，可以采用抗饱和三极管（又称为肖特基三极管），它是由普通三极管和肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）组合而成，如图6-1-15所示。 （2） 74S系列 图6-1-15抗饱和三极管