半导体生产与洁净度培训.pptVIP

半导体生产与洁净度;微电子的发展史－集成电路的发展;1951年在贝尔实验室诞生； 60年代用于航天领域，转换效率为10%； 70年代技术迅速发展，使用于民用领域；转换效率为20%； 90年代在规模生产，效率不断提高；销售量以每年25%的速度递增。;半导体基本知识;半导体的特性;半导体的导电性;Ｎ型半导体;Ｐ型半导体;Ｎ型半导体的工作原理;Ｐ型半导体的工作原理;二、P-N结的单向导电性; p型区域中邻近n型区域一边的薄层b中就有一部分空穴扩散到n区。薄层B失去了一些空穴，带负电。如图（b） ;由于空穴和电子的扩散，使薄层A带正电，而薄层B带负电，因此在薄层A、B间产生一个电场，如下图。这个电场的方向是由n区指向p区。这个电场会阻止电子继续往p区扩散也阻止空穴继续往n区扩散，但是刚开始电子和空穴的扩散占优势。 随着电子和空穴的不断扩散，n区和p区失去的电子和空穴越来越多，薄层A和B越来越厚，形成的电场的作用越来越强。最后，电场的作完全抵消了扩散，达到了动态平衡状态。 薄层A和薄层B称为“pn结”，又称“阻挡层”，厚度大约为10-4～10-5cm。 ;实验：在pn结两端接上电池，电池正极接p型半导体，负极接n型半导体，如图（a），电流表有读数。电池正极接n型半导体，负极接p型半导体，如图（b），电流表的读数接近零。 结论：pn结具有只让电流从一个方向通过的单向导通性。 ;分析之一外加正向