半导体物理2010(第五章非平衡载流子).pptVIP

§5.5 陷阱效应 作业 ⒈以热平衡状态下非均匀掺杂的P型半导体为例，证明爱因斯坦关系式： ⒉一均匀掺杂的p型半导体样品，温度T时在一端有光照产生非平衡载流子，半导体非平衡载流子的产生率为g，光照表面处的非平衡载流子浓度为(Δn)0。已知少子的寿命为τ，迁移率为μ，样品足够厚。在小注入条件下，求： ⑴稳态时半导体中非平衡少子的浓度分布； ⑵稳态时光照表面处的电子扩散电流密度(Jp)扩。 可以看出，非平衡少数载流子从光照表面向内部是指数衰减的。其中的Lp是非平衡子载流子平均扩散距离（扩散长度） 相应的空穴扩散流密度为： §5.6 载流子的扩散运动 2.样品厚度一定（为W） 假设在样品另一端设法将非平衡少数载流子全部引出 边界条件 可得 §5.6 载流子的扩散运动 解此联立方程得 若 则上式简化为： §5.6 载流子的扩散运动 可以看出，此时非平衡载流子在样品内呈线性分布 扩散流密度 这是一种非平衡载流子在样品中扩散时没有复合的情况，晶体管中基区宽度远小于载流子的扩散长度，所以基区非平衡载流子分布符合该情况。 总结 求解一维稳定扩散非平衡载流子的分布，先由非平衡少数载流子的稳态扩散方程，写出其通解形式，通解中的参数将由具体的半导体的边界条件来确定。 §5.6 载流子的扩散运动 二、三维稳定扩散的情况 考虑三维情况，非平衡