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PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备 极限真空：6.67x10-5Pa(经烘烤除气后)； 接口密封采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封 ； 靶台组件每次可以装四块靶材，靶材尺寸Φ60mm； 靶与基片之间距离可调30-100mm ； 每块靶材可实现自转，转速5～60转/分，连续可调，步进电机驱动； 基片尺寸：Ф50mm最高温度 800°C 基片可连续回转，转速5～60转/分；步进电机驱动 激光束扫描控制系统； 产生氧等离子的电离电源及电极、石英管、微调阀等 ； 用户可选配备如下仪器或控制系统 1、RHEED， 2、离子源； 3、RHEED强度振荡，CCD生长速率监 测系统； 4、计算机控制系统的硬件接口、软件 及586 计算机 ； PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备左视图 PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备右视图 PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备俯视图 * 3 PLD- Ⅲ型高真空脉冲激光溅射沉积设备 一、设备的主要组成及技术指标 极限真空：6.67x10-5Pa (经烘烤除气后) 1、真空室组件