等离子体与pecvd工艺介绍(注意).pptVIP

3.14，几种参数组合的反射率比较（RothRau) 3.2，表面钝化 晶圆表面存在很多的表面态、晶界、缺陷。 在PECVD沉积过程中，大量的H原子（离子）进入薄膜，饱和了大量的悬挂键。降低了复合中心的作用，提高短波响应与短路电流。 3.3，体钝化 体钝化和后续的金属化烧结工艺是分不开的， 由于热退火，大量H原子从表面扩散到体硅材料内部。 特别对于多晶硅，材料内部存在大量晶界（面缺陷），H原子可以饱和晶界位置的悬挂键，降低复合中心的作用，提高短路电流。 3.4，FTIR测量H含量，钝化效果的评估（RR资料） 从上表看出：烧结前后，N－H降低约30％；Si－H提高约20％，总H含量降低约10％。说明了20％的H进入材料内部，起体钝化作用。 3.5，烧结前后的IQE比较（RothRau资料） 4，工艺过程的参数控制（与RothRau为例) 沉积温度 沉积压强 气体流量、比例 微波功率：最大功率，ton，toff 传输速度 4.1，沉积温度 有3个加热器，温度范围为：300－400℃。典型的温度设置在350 ℃。 3种沉积温度下，内量子效应的对比 4.2，沉积压强 压力主要影响等离子体区域的半径和反应气体的停滞时间，结果影响了SiNx:H的组分和钝化特性。一般在0.05mbar－0.3mbar，典型值0.1mbar 。 不同沉积压强下，烧结前后的内量子效应对比。 4.3，气体流量 气体的总流量影响了薄膜沉积速率，流量比影响了折射率、钝化效果。典型流量比NH3/SiH4＝1.5－2.5。 4.4，微波功率 微波功率影响了等离子体的分布和沉积速率： 4.4，微波功率的脉冲频率：ton，toff 4.4，不同微波功率和ton、toff的等离子分布和沉积速率 4.5，传输速率 Carrier的传输速率影响了薄膜沉积速率和均匀性。典型范围是70－100cm/min，典型值80cm/min。 4.6，工艺参数的总结 压强：较高压强－较低的沉积速率。 压强－折射率、钝化效果。 温度：较高温度－稍微降低沉积速率。 高温－降低少子寿命，粒子产生。 气流量：较高气流量－较高的沉积速率。 气体比例：更多SiH4－提高反射率、吸收增大。 微波功率：较高的P-mean－稍微提高沉积速率。 P-peak－调整等离子体分布长度 。 沉积不均匀－调整左/右微波功率。 5，等离子体在solar cell的其他引用 等离子蚀刻机——去边 反应离子刻蚀——表面质构化 5.1，湿法刻蚀与干法刻蚀 湿法刻蚀是与化学溶液的化学反应过程。缺点：缺乏各向同性、差的工艺控制和过度的颗粒沾污；优点：较高的选择比，一般不产生衬底损伤。广泛应用于非关键尺寸工艺。 干法刻蚀－等离子刻蚀，气体离子、原子团、电子、中性粒子的轰击、反应。缺点：衬底损伤、残余物污染、金属杂质；优点：容易开始与结束、对温度变化不那么敏感、重复性好、高的各向异性、环境颗粒少、化学废液少。 等离子刻蚀：高压等离子刻蚀、离子铣、反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀、剥离技术。 5.2，等离子刻蚀的一般步骤 反应室的气体被等离子体分离成可化学反应的元素； 这些元素扩散并吸附在硅片表面； 这些元素在硅表面上进行表面扩散，直到发生反应； 反应生成物解吸，离开硅片并排放。 5.3，反应离子刻蚀（离子辅助刻蚀）在太阳能电池的应用 目的：优化电池表明形貌，降低综合反射率，特别对于多晶硅，可以得到各向同性的刻蚀效果。 工艺气体：SF6和O2的混合物。 工艺参数：气流量、温度、刻蚀时间、压强、等离子源 相比与湿法的优点： 对于150um的薄晶圆，单面刻蚀改善了surface-to-volume比例，降低表面复合率。 质构化与硅衬底材料无关，高兼容性，光学特性好。 可得到更低反射率，更高的电池效率 5.4，应用实例（ RothRau） RothRau的等离子蚀刻系统 5.4.1，氧气含量是最重要的参数， SF6/O2 最优区域 氧气含量低于30％，压强高于0.1mbar，反射率小于10％ 5.4.2，刻蚀速率与反射率的均匀性 刻蚀时间与反射率，从saw damage晶片开始 5.4.3，工艺参数－刻蚀时间 质构化的表面形貌 5.4.4，表明形貌 反射率比较：质构化的反射率降低约20％ 5.4.5，质构化的反射率降低约20％ 有效表面复合速率与O2含量的关系 反应离子刻蚀 NaOH去表面损伤，无质构化。 残余物SixOyFz，降低表面钝化效果。表面损伤？ 5.4.6，电学特性－有效表面复合速率 有效寿命和反应室温度，刻蚀时间的关系 5.4.7，电学特性－有效寿命 Jsc提高：反射率降低，提高光耦合。 Voc