电子技术基础1-2.20.ppt

* * * * * * * * * * * 电 子 技 术 基 础 1、学时：32 2、期末成绩：平时60%，期末40% 平时：考勤/作业/小测验/课堂表现 期末：开卷考试 3、作业要求 采用统一的作业本 周一学习委员交至3-303 世界上第一台电子计算机于 1946年在美国研制 成功，取名 ENIAC （ Electronic Numerical Integrator and Calculator）。 服役时间：1946年2月到1955年10月 电子计算机发展经历的四个阶段 电子计算机发展经历的四个阶段 第一代（ 1946-1957年）：电子计算机。 它的基本电子元件是电子管。 第二代（ 1958-1970年）是晶体管计算机。 第三代（ 1963-1970年）是集成电路计算机。 第四代（ 1971年-日前）是大规模集成电路计算机。 电子技术的主要内容 模拟电子技术 数字电子技术 第9章 二极管和晶体管 9.3 稳压二极管 9.2 二极管 9.1 半导体的导电特性 9.4 晶体管 9.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 9.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体， 称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征激发 空穴 自由电子 自由电子和空穴都称为载流子。 Si Si Si Si 自由电子 空穴 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： 电子电流 空穴电流 自由电子 空穴 Si Si Si Si 自由电子 空穴 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能 很差； (2) 温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电 性能也就愈好。所以，温度对半导体器件 性能影响很大。 9.1.2 N型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 9.1.2 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 3. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 电子导电和空穴导电有什么区别？ 空穴电流是不是由自由电子替补空穴形成的？ N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？ 9.1.3 PN结 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － －