发光二极管光取出原理及方法.pptVIP

2 发光二极管光取出原理及方法 2.1 发光二极管光取出原理 电光转换效率(Wall-plug Efficiency)：半导体发光二极管的辐射发光效率，是光的输出功率于输入电流功率之比。 Popt:光输出功率；Cex：光取出效率；I与V分别为加在LED两端的电流和电压。 因此，在输入功率一定的情况下，要改进电光转换效率就要改进内部量子效率和高的光取出效率。 光在产生和辐射过程中的损失 一般平面结构的LED都生长在具有光吸收功能的衬底上，以环氧树脂圆顶形封装。这种机构光取出效率可能低至4％左右。 原因：一是电流分布不当以及光被材料本身吸收；二是不易从高折射率的半导体传至低折射率的空气 影响光取出效率的三个原因 1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（window layer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（Current Blocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面 2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时，一部分光会被反射回去。菲涅尔损失系数为 若n1=3.4,n2=1,则 ，也就是70.2％的光可以投射半导体与空气的界面 3，全反射损失：只有小于临界角内的光可以完全被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。 解