液晶材料与技术之LCD工艺技术 .ppt

液晶材料与技术（9） ——LCD工艺技术 ;;Array制程中的几个主要技术;;;洗净原理及方法 ;1.湿式化学清洗 所谓湿式化学清洗技术，是以液态酸、碱溶剂与去离子水.之混合液清洗基板表面，并干燥的程序。 化学清洗不仅可以有效去除有机物，也可以通过化学反应有效去除金属等无机污染物。 但是湿式化学清洗法有时不但不能去除微粒，反而会增加微粒在基板表面附着的可能性。仅仅采用湿式化学清洗还不能完全解决问题。;;;;3.高压液体喷淋 是利用高压泵把清洗用水加压到10～30公斤的高压力，再通过喷嘴把高压低流速的水转化成低压高流速的清洗水喷射到玻璃基板的表面进行清洗的，为了扩大清洗面常使用能形成扁平扇形状清洗面的喷嘴。 用这种方法可去除玻璃基板上的3～5μm的粒子。 用这种方法可对在流水线上运行的玻璃基板进行连续化的在线清洗。 对于较小微粒而言，去除效率并不高。 一般液体压力达 到100 psig (1 psig的单位是1磅/平方英寸=6894.757 N· m-2)才可以有效去除微粒，但如此的高压会对基板表面图形产生伤害。;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;TFT-LCD设计及制作;洗净设备 ;;Array制程中的几个主要技术;什么是PVD？;在TFT制造工艺中共有5道溅射工序，分别为： 栅极(G)配线的铝铌(AINb)含金和钼铌合金(MoNb)金属膜或者铜(Cu)金属膜， 源极和漏极及其配线的铬(Cr)金属膜， 像素电极的氧化铟锡(ITO)金属膜 彩色滤光片的铬膜。 公共电极的氧化铟锡(ITO)金属膜; 1、溅射原理;;;;;;;（1）直流溅射（RC): 阴极与基板直接加载直流电压。;直流溅射的优点：;直流溅射的缺点：;;（2）射频溅射（RF）;射频溅射的优点;（3）磁控溅射 为了克服DC溅射在高真空情况下由于气体分子密度过低而导致放电不能持续维持的问题，在阴极靶材内侧设置一个磁场，可以使电子在阴极表面作螺旋状前进的运动，这样，即使气体分子密度很小，但由于电子在靶材附近运动的时间延长，因此电子密度相对增大，同样可以保证和气体的碰撞次数，从而解离气体产生等离子体，使放电持续进行。这就是所谓的磁控溅射。 磁控溅射因为提高了放电效率，得到比较高的溅射率，可以在工艺气体压力较低的情况下工作，减小了气体对膜质的影响，且具有成膜均一性好、重现性好等优点，所以在生产领域中得到广泛应用。 但是其靶材利用效率较低。;磁控溅射;;;;;（5）、离子束溅射 ;;TFT-LCD设计及制作;化学气相沉积技术原理;在TFT阵列工艺中，PECVD中的化学反应主要是 SiH4+H2生成a-Si SiH4+NH3+N2生成SiNx ;图6.3所示是CVD成膜的二维模型，气流平行于玻璃基板表面。在主气流与玻璃基板表面之间，气流速率从主气流速率递减到基板表面的零，此区域定义为边界层。;;TFT-LCD设计及制作;;;;;;;;空气中允许的硅烷浓度为0.5 ppm;一级报警浓度为0.30 ppm；二级报警浓度为0.60 ppm。听到报警，工作人员必须迅速撤离现场。 在TFT制造中采用的是高纯度的硅烷，对一氧化碳、二氧化碳、甲烷和水的含量都要求小于0.1 ppm。对氮气和氧气+氩气的含量也要小于1 ppm。;2、磷烷;;;;;3、氨气;氨气为无色气体，但有强烈刺鼻的气味，在其浓度为20ppm时可以稳定监测。 氨气具有可燃性，会严重灼伤眼、皮肤及呼吸道。 当它在空气中的浓度超过15％时，会有立即造成火灾及爆炸的危险。 当氨气大规模泄漏时，工作人员需要穿全身防护服，并立即随时意识到潜在的火灾和爆炸危险。 氨气的品质纯度要求为99.999wt%以上。使用中需要注意不同批号的产品不要混合使用。;4、笑气;5、氢气;;6、氮气;;CVD设备厂家，AKT（第一），ULVAC(第二）。;;;;;;;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料与技术;液晶材料