绕组的tgδ及其电容量试验作业指导书.doc

绕组的tgδ及其电容量试验作业指导书 3.1 试验目的 测量tgδ是一种使用较多而且对判断绝缘较为有效的方法，通过测量tgδ可以反映出绝缘的一系列缺陷，如绝缘受潮、油或浸渍物脏污或劣化变质，绝缘中有气隙发生放电等。 3.2该项目适用范围 交接、大修、预试、必要时。（35kV及以上，10kV容量大于1600KVA） 3.3试验时使用的仪器 自动介损测试仪、QS1型西林电桥 3.4试验方法 3.4.1 QS1型西林电桥 3.4.1.1技术特性 图3-1西林电桥原理图QS1型电桥的额定工作电压为10kV，tgδ测量范围是0.5％～60％，试品电容Cx是30pF～0.4μF（当CN为50pF时）。该电桥的测量误差是：tgδ=0.5％～3％时，绝对误差不大于±0.3％；tgδ=3％一60％时，相对误差不大于±10％。被试品电容量CX的测量误差不大于±5％。如果工作电压高于10kV，通常只能采用正接线法并配用相应电压的标准电容器。电桥也可降低电压使用，但灵敏度下降，这时为了保持灵敏度，可相应增加CN的电容量（例如并联或更换标准电容器）。 图3-1西林电桥原理图 3.4.1.2接线方式 1.正接线法。所谓正接线就是正常接线，如图3-1所示。 在正接线时，桥体处于低压，操作安全方便。因不受被试品对地寄生电容的影响，测量准确。但这时要求被试品两极均能对地绝缘（如电容式套管、耦合电容器等），由于现场设备外壳几乎都是固定接地的，故正接线的采用受到了一定限制。 图3-2 QS1电桥全部原理接线图2.反接线法。反接线适用于被试品一极接地的情况，故在现场应用较广，如图3-2所示。这时的高、低电压端恰与正接线相反，D点接往高压而C点接地，因而称为反接线。在反接线时，电桥体内各桥臂及部件处于高电位，所以在面板上的各种操作都是通过绝缘柱传动的。此时，被试品高压电极连同引线的对地寄生电容将与被试品电容Cx并联而造成测量误差，尤其是Cx值较小时更为显著。 图3-2 QS1电桥全部原理接线图 3、对角接线。当被试品一极接地而电桥又没有足够绝缘强度进行反接线测量时，可采用对角接线，如图3-3所示。在对角接线时，由于试验变压器高压绕组引出线回路与设备对地（包括对低压绕组）的全部寄生电容均与Cx并联，给测量结果带来很大误差。因此要进行两次测量，一次不接被试品，另一次接被试品，然后按式（3-1）计算，以减去寄生电容的影响。 tgδ=（C2 tgδ2-C1 tgδ1）/（C2-C1） （3-1） CX=（C2-C1） （3-2） 式中 tgδ1——未接人被试品时的测得值； tgδ2——接人被试品后的测得值； C1——未接人被试品时测得的电容； C2——接人被试品后测得的电容。 这种接线只有在被试品电容远大于寄生电容时才宜采用。用QSI型电桥作对角线测量时，还 图3-3对角线接线原理图C‘X——高压端寄生电容C‘3——低压端寄生电容需将电桥后背板引线插头座拆开，将D点（即图3-3中E点）的输出线屏蔽与接地线断开，以免E点与地接通将R3短路。此外，在电桥内装有一套低压电源和标准电容器，供低压测量用，通常用来测量压（100V）大容量电容器的特性。当标准电容CN=0.001μF时，试品电容 Cx的范围是300pF～10μF；当CN=0.01μ 图3-3对角线接线原理图 C‘X——高压端寄生电容 C‘3——低压端寄生电容 3.4.2数字式自动介损测量仪 数字式介损测量仪的基本原理为矢量电压法。数字式介损型测量仪为一体化设计结构，内置高压试验电源和BR26型标准电容器，能够自动测量电气设备的电容量及介质损耗等参数，并具备先进的于扰自动抑制功能，即使在强烈电磁干扰环境下也能进行精确测量。电通过软件设置，能自动施加 10、5kV或2kV测试电压，并具有完善的安全防护措施。能由外接调压器供电，可实现试验电压在l～10kV范围内的任意调节。当现场干扰特别严重时，可配置45～60HZ异频调压电源，使其能在强电场干扰下准确测量。 数字式自动介损测量仪为一体化设计结构，使用时把试验电源输出端用专用高压双屏蔽电缆 滞插头及接线挂钩）与试品的高电位端相连、把测量输人端（分为“不接地试品” 和“接地试品”两个输人端）用专用低压屏蔽电缆与试品的低电位端相连，即可实现对不接地试品或接地试品（以及具有保护的接地试品）的电容量及介质损耗值进行测量。 在测量接地试品时，接线原理见图3-4（b），它与常用的闭型电桥反接测量方式有所不同，现以单相双绕组变压器（如图3-5所示）为例，说明具体的接线方式。 测量高压绕组对低压绕组的电容CH－L时，按照图3-5(a)所示方式连接试验回路，低压测量信号IX应与测试仪的“不接地试品”输入端相连，即相当于使用QS1型