哈工大微电子工艺07外延教材.pptVIP

微电子工艺—薄膜技术(3) 第7章 外延 (Epitaxy) 第7章 外延 7.1 概述 7.2 硅气相外延原理及工艺 7.3 外延层中的杂质分布 7.4 外延方法 7.5 分子束外延 7.6 其它外延 7.7 外延层缺陷及检测 7.1 外延概述 在微电子工艺中，外延(epitaxy)是指在单晶衬底上，用物理的或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过程。 新排列的晶体称为外延层，有外延层的硅片称为（硅）外延片。 与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多 外延是在晶体上生长晶体，生长出的晶体的晶向与衬底晶向相同，掺杂类型、电阻率可不同。n/n+，n/p，GaAs/Si。 7.1.1 分类 按材料划分：同质外延和异质外延 按工艺方法划分：气相外延（VPE)，液相外延(LVP)，固相外延 (SPE)，分子束外延（MBE) 按温度划分：高温外延--1000℃ 以上；低温外延--1000℃ 以下；变温外延--先低温下成核，再高温下生长外延层 按电阻率高低划分：正外延--低阻衬底上外延高阻层；反外延--高阻衬底上外延低阻层 其它划分方法：按结构划分；按外延层厚度划分等 7.1.2 特点 外延生长时掺入杂质的类型、浓度都可以与衬底不同，增加了微电子器件和电路工艺的灵活性。 多次外延工艺得到多层不同掺杂类型、不同杂质含量、不同厚度，甚至不同材料的外延层。 异质外延，如G