光电技术第3章第2节教材.pptVIP

3.3 光生伏特器件的偏置电路（重点掌握） ;2.输出电流、电压与辐射量间的关系 ;光电二极管反向偏置电路输出特性曲线;光伏探测器光电变换电路的参数计算;（2）解析法(了解);;;光伏探测器光电变换电路的参数计算;光伏探测器光电变换电路的参数计算;;;S;例:光电池在光照度为100lx时,开路电压VOC=180mv,ISC=80μA,求在由50lx增加到200lx时,为保证线性输出所需最佳负载电阻值和输出电压变化量;若加有反偏压Vb=0.3V,允许选用的负载电阻RL=?输出电压△V=?;光伏探测器光电变换电路的参数计算;;;*4（了解）光电池交流检测电路;;例3-1 用2CU2D光电二极管探测激光器输出的调制信号φe,λ=20 +5sinωt（μW）的辐射通量时，若已知电源电压为15V，2CU2D的光电流灵敏度Si=0.5μA/μW，结电容Cj=3 pF，引线分布电容Ci=7 pF，试求负载电阻RL=2MΩ时该电路的偏置电阻RB为多少？并计算输出最大电压信号情况下的最高截止频率为多少？ ;3.光电三极管反向偏置电路的设计与计算 ;例3-2 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图3-42所示。当入射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输出的波形图，分析输入与输出信号间的相位关系。 ; 再根据题目对输出信号电压的要求，确定光电三极管集电极电压的变化范围，本题要求输出5V，指的是有效值，集电极电压变化范围应为双峰值。即 根据偏置电路可知，入射为最大时输出电压应最小，但不能进入饱和区。为此，在特性曲线的“拐点”右侧找一点“A”并做垂线交横轴于“C”点，从“C” 向右量14V，找“D”点。由“D”做垂线交入射为最小的特性曲线与“B”。通过“A”、 “B”做直线，此线即为负载线。由负载线可以得到负载电阻RL和电源电压Ubb。 显然， “C”点电压为3.7V ， “D”点电压为17.7V 。电源电压Ubb 近似为19V，取标称电压20V。 电源电压Ubb取标称电压20V后可以适当地修正负载线。; 根据入射光通量正弦变化关系可以在特性曲线的电压坐标轴上画出输出信号的波形如图所示。 由输出波形可以看出入射辐射与输出电压信号为反向关系。;3.3.2 零伏置电路 （自偏置电路，负载电阻为零）;3.2.6 光伏器件组合器件;1、象限阵列光伏器件组合件（象限探测器）：准直、定位及跟踪等方面）;;象限探测器的缺点： 1、需要分割，从而产生死区，尤其当光斑很小时，死 区的影响更明显。 2、若被测光斑全部落入某个象限时，输出的电信号无 法表示光斑位置，因此其测量范围及控制范围都不大。 3、测量精度与光强变化及漂移密切相关，因此其分辨率及精度受到限制。;2、线阵列光伏器件组合件 ;3、楔环阵列组合件（光学功率谱探测） ;3.2.7 光电位置敏感器件（PSD）(基于光生伏特器件的横向效应器件) ;3.2.7 光电位置敏感器件（PSD） ;2. 一维PSD器件 ; 图3-35所示，为一维PSD位置检测电路原理图，光电流I1经反向放大器A1放大后分别送给放大器A3与A4，而光电流I2经反向放大器A2放大后也分别送给放大器A3与A4，放大器A3为加法电路，完成光电流I1与I2相加的运算（放大器A5用来调整运算后信号的相位）；放大器A4用作减法电路，完成光电流I2与I1相减的运算。;3.二维PSD器件（单面型和双面型） ;;3.4 半导体光电器件的特性参数与选择问题 ;5、光谱响应：光敏电阻的光谱响应最宽（尤其是红外波段的光敏电阻）。 6、供电电源与应用的灵活性 光敏电阻无极性，可用于交、直流电源；光电池可不加偏压，但线性差；其它光伏器件要加反偏。 7、暗电流与噪声：光电二极管的暗电流最小，光敏电阻及其它光伏器件的暗电流较大。具有高放大倍率的复合光电三极管与面积较大的光电池的噪声最大。 ;1、光电器件必须和辐射源及光学系统在光谱上实现匹配。 2、光电器件的光电转换特性或动态范围必须与光信号的入射辐射能量相匹配。 3、光电器件的时间响应特性必须与光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以确保变换后的信号不产生由于频率失真引起的输出波形失真。 4、光电器件与变换电路必须与应用电路的输入阻抗良好匹配。 5、必须注意选择器件的参数和使用环境。;作业;3.18、在图3-47所示的光电变换电路中，若已知3DU2的电流灵敏度SI=0.15mA/lx，电阻RL=51kΩ，三极管9014的电流放大倍率β=120，若要求该光电变换电路在照度变化为200 lx的