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界面附近的溶质分布 界面附近的温度分布 上图是k1时的典型相图，从中可以看到，溶质在固相、液相中的浓度在不同的温度下有不同的数值。在结晶时即固液界面向液相推进Δz时，则在单位面积上，必须要有Δz(CL-CS)的溶质通过扩散离开凝固界面 坩埚是直接与所生长的晶体及其熔体接触的，并且对晶体生长过程的传热特性具有重要的影响。因此，坩埚材料的选择是晶体生长过程能否实现以及晶体结晶质量优劣的控制因素之一。坩埚材料的选择是由所生长的晶体及其在熔融状态下的性质决定的。对于给定的晶体材料，所选坩埚材料应该满足以下物理化学性质： (1)有较高的化学稳定性，不与晶体或熔体发生化学反应。 (2)具有足够高的纯度，不会在晶体生长过程中释放出对晶体有害的杂质、污染晶体材料，或与晶体发生粘连。 (3)具有较高的熔点和高温强度，在晶体生长温度下仍保持足够高的强度，并且在高温下不会发生分解、氧化等。 (4)具有一定的导热能力，便于在加热区对熔体加热或在冷却区进行晶体的冷却。但导热能力太强对晶体生长是不利的。坩埚的导热特性对晶体生长过程的影响较为复杂，通过具体的传热计算才能准确理解。(5)具有可加工性，便于根据晶体生长的需要加工成不同的形状。特别是在生长高蒸气压或易氧化的材料时，要进行柑蜗的焊封，对其可加工性和高温强度要求更高。 (6)具有与晶体材料匹配的热膨胀特性，不会在晶体生长过程中对晶体形成较大的压应力，并在晶体生长结束后易于取出。 * 除了坩埚材质以外，坩埚的形状和结构设计也是至关重要的。合适的坩埚结构设计有利于获得理想的温度场，有效控制晶体生长应力。镀膜等处理可以改善坩埚性质，成为一项重要技术。 * Bridgman法晶体生长过程动态平衡条件分析 可以借助图所示的步进生长的原理理解晶体生长的过程。假定在某一时刻，在晶体生长系统(炉膛及坩埚)中建立起了温度场的平衡，此时将坩埚瞬时下拉一个距离?z并在下一次抽拉前维持一个时间间隔??，则原来的温度平衡条件被破坏，温度较高的坩埚被下拉到温度更低的环境中，则坩埚向环境散热，使得结晶界面温度低于结晶温度，形成一个过冷度?T。这一过冷度导致结晶界面生长，并同时向新的温度场平衡条件逼近。然后，再次下拉坩埚，重复上述过程。当?z和??均趋近于无穷小量时则可实现连续的晶体生长。 在上述过程中，仅当生长速率很低时才有可能获得瞬时接近平衡的生长条件，而在实际生长过程中，绝对的低速是难以实现的，难以达到接近平衡的温度分布。因此，实际生长速率和坩埚下拉速率并不同步。导致实际生长速率和坩埚下拉速率不同的因素还包括溶质的分凝。 Bridgman法晶体生长过程结晶界面控制原理 宏观结晶界面形貌对晶体生长过程的影响主要表现在对单晶生长的稳定性、成分偏析以及热应力的影响上。 凹陷的结晶界面对于维持单晶生长是不利的，一旦在坩埚壁附近形成新的结晶核心，则很容易沿垂直于热流方向生长，形成多晶；而平面界面则能较好地维持单晶生长；凸出的界面对于获得单晶最为有利，即使发生新的晶核形成，也会被很快淘汰。 平面结晶界面利于获得一维的稳定扩散场，形成一维的溶质分凝条件，因此可以获得径向无偏析的晶体。而凹面和凸面生长的晶体均会形成径向的扩散分量，导致径向成分偏析。其中对于凸面的生长过程，分凝系数k＜l的元素将在晶锭表面富集，而在中心线附近贫化；分凝系数k＞l的元素则相反，在晶锭中心富集，在表面贫化。凹陷界面生长条件下的情况恰恰相反，k＜l的元素在中心富集，而k＞l的元素在表面富集。由于大多数低含量的杂质元素的分凝系数均小于l，在凹面生长过程中将在晶体内部富集，对晶体性能造成很大的危害。 从应力的角度考虑，非平面生长过程对应于复杂的温度场和热应力场，容易造成较大的应力。特别是凹陷界面，不仅应力复杂，而且晶体强度低，容易在应力下引起变形，造成位错等缺陷。 根据以上分析，平面结晶界面是最为理想的晶体生长界面，其次是凸面界面，而凹陷的结晶界面是最不利于晶体生长的界面形貌。 结晶界面的宏观形貌主要取决于界面附近的热流条件。从热平衡的角度考虑，结晶界面总是和热流方向垂直的，只要沿热流方向确定出结晶温度所在的位置，或者根据温度 高压Bridgman法晶体生长 一种高压Bridgman法晶体生长设备的工作原理图 在Bridgman法晶体生长过程中采用Cd源控制Cd蒸汽分压，抑制 Cd挥发的原理示意图 其他定向结晶的晶体生长方法 垂直温度梯度法 区熔-移动加热器法 溶剂法 浮区法 垂直温度梯度法 垂直温度梯度法(vertical gradient freeze，VGF)是由美国学者Sonnenberg等开发的一项专利技术。该方法与Bridgman法的共同之处是，结晶也是在一维的梯度温度场中进行的。熔体在坩