电力电子电源技术及应用1.3 功率场效应晶体管MOSFET.pptVIP

功率场效应晶体管MOSFET 绝缘栅功率场效应晶体管（Power MOSFET: Power Mental Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种多子导电的单极型电压控制器件，它具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性优良、无二次击穿、安全工作区宽和跨导线性度高等显著特点，在各类中小功率开关电路中得到极为广泛应用。 一、基本结构与工作原理 1.基本结构 为使漏极、源极之间流过可控的电流，必须具备可控的导电沟道才能实现。 导电沟道是通过绝缘栅施加电压之后感应产生的。 导电沟道与源漏区类型一致，所以N沟道MOSFET栅源之间要加正电压；反之，P沟道MOSFET栅源之间要加负电压。 寄生晶体管等效电路 (a) (b) 电路图形符号 （a）N沟道 （b）P沟道 MOSFET的等效电路及其电路图形符号 二、静态特性 1.输出特性 以栅源电压为参变量， 反映漏极电流 ID 与漏源电压 UDS 间关系的曲线族称为功率MOSFET的输出特性。 输出特性可分为三个区域，即可调电阻区I、 饱和区 Ⅱ 和雪崩区Ⅲ 。 Ⅰ Ⅱ Ⅲ UGS5 UGS4 UGS1 UGS2 UGS3 UDS(V) ID(A) 0 2.转移特性 漏源电压UDS 为常