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- 2019-08-29 发布于辽宁
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绝缘栅双极型晶体管 基本结构 基本工作原理 动态特性与参数 静态特性与参数 安全工作区 栅极驱动电路 保护措施 绝缘栅双极型晶体管: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 主要学习内容 一、基本结构与工作原理 1.IGBT的基本结构 2.IGBT的等效电路 3.IGBT的基本工作原理 IGBT的开通与关断由UGE决定 UGE UGE(th) IGBT开通 UGE UGE(th) IGBT关断 二、静态特性与参数 1 .转移特性 2.输出特性 三、动态特性与参数 1.开关过程 开通过程: 是指IGBT从正向阻断到正向导通的过程,时间记为TON。以 U GE前沿上升到其最大值(UGEM)的0.1倍起始到集电极电流IC上升到其最大值(ICM)的0.9倍为止。 IGBT的开通时间一般划为两个时间段,即开通延迟时间td和电流上升时间tr。 开关过程包括开通和关断两个过程 IGBT从正向导通到正向阻断,时间记为TOff,以 U GE 后沿下降到UGEM的0.9倍起始到集电极电流IC下降到 ICM 的0.1倍为止。 IGBT 的关断时间一般也划为两个时间段, 即关断延迟时间td和电流下降时间tf IGBT的开关时间 (t
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