电力牵引变流技术MOSFET与IGBT的结构与工作原理.pptVIP

（1） IGBT的基本结构与工作原理 1）基本结构 IGBT也是三端器件，三个极为漏极（D）、栅极（G）和源极（S）。 （a) 内部结构 （b）简化等效电路 （c）电气图形符号 3.2、绝缘门极晶体管（IGBT） 2）工作原理 IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。 开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的，当UGE为正且大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。 当栅极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管无基极电流，IGBT关断。 3.2、绝缘门极晶体管（IGBT） （2） IGBT的基本特性与主要参数 IGBT的转移特性和输出特性 （a) 转移特性 （b) 输出特性 3.2、绝缘门极晶体管（IGBT） 1）IGBT的基本特性 ① 静态特性 IGBT的转移特性，它描述的是集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系，与功率MOSFET的转移特性相似。 开启电压UGE（th）是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。 UGE（th）随温度升高而略有下降，温度升高1oC，其值下降5mV左右。在+25oC时，UGE（th）的值一般为2~6V。 IGBT的输出特性，也称伏安特性，它描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 二、