微电子与集成电路设计7.ppt

利用积分表，可求得下降时间tf 式中 当Vin=0，NMOS管截止时，电源VDD通过PMOS管对CL充电。 在此期间，PMOS管也经历了饱和与非饱和两个工作区． 用相类似的方法可以求出上升时间: 式中 当电路对称，即βN=βP和VTN=|VTP|时，输出电压波形的上升时间与下降时间相等。即： tf=tr CMOS反相器功耗 1. 静态功耗PS 当Ui=0 时， U1截止， U2导通， Uo=UDD(“1”状态)。 当Ui=UDD(“1”)时，U1导通，U2截止， Uo=0(“0”状态)。 因此， 无论Ui是“0”或“1”，总有一个管子是截止的， ID=0 故静态功耗 PS=ID×UDD=0 2. 动态功耗(瞬态功耗)PD 1) 对负载电容CL充放电的动态功耗PD1——交流开关功耗 设输入信号Ui为理想方波。 当Ui由“0”→“1”时， 输出电压Uo由“1”→“0”, U1导通， U2截止， IDN使CL放电（反充电）， Uo下降。 当Ui由“1”→“0”时，输出电压Uo由“0”→“1”， U1截止， U2导通， IDP给CL充电， Uo上升。 因此， 在输入信号变化的一段时间内， 管子存在电流和电压， 故有功率损耗。 CMOS反相器功耗 2) 一周期内CL充放电使管子产生的平均功耗 式中Tc为输入信号周期。 CMOS反相器功耗 2. 动态功耗(瞬态功耗)PD 故 3) Ui为非理想阶跃波形时引入的动态功耗PD2——直流开关功耗 当输入信号不是理想阶跃变化时， 对NMOS管， UGSN=Ui, 则 (1) 当UGSN=UiUTHN时，NMOS管截止; (2) 当UGSN=UiUTHN时， NMOS导通。 对PMOS管， UGSP=Ui-UDD, 则 (1) 当|UGSP|=|Ui-UDD||UTHP|时， PMOS管截止； (2) 当|UGSP|=|Ui-UDD||UTHP|时， PMOS管导通。 CMOS反相器功耗 3) Ui为非理想阶跃波形时引入的动态功耗PD2——直流开关功耗 CMOS反相器功耗 在t1～t2， t3～t4时间段内， NMOS管和PMOS管同时导通， iDN=iDP≠0, UDSN、 UDSP 也不为0， 产生瞬态功耗PD2， 该电流贯穿NMOS管和PMOS。 设电流峰值为IDM， 其平均电流近似为IDM/2, 那么， 电源供给的平均功率(也就是管子消耗的平均功率)为 总的反相器功耗  PD=PD1+PD2  由以上分析可得结论： 要降低功耗， 必须要按比例减 小管子的尺寸(CL减小)， 特别是减小供电电压UDD。 CMOS反相器 有以下优点： 1 传输特性理想，过渡区比较陡 2 逻辑摆幅大：Voh=VDD, Vol=0 3 一般VTH位于电源VDD的中点，即VTH=VDD/2，因此噪声容限很大。 4 只要在状态转换为b－d段时两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。 5 速度快。上升时间tr：恒流充电 下降时间tf：单管放电 6 CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的。 * * CMOS倒相器直流特性分析 VinVTN时，NMOS管截止，IDSN为零。 VGSPVTP， 所以PMOS管导通 但 IDSP= -IDSN=0，因此倒相器输出电压： Vout=VOH=VDD 十分明显： VGDP=Vin-VDDVTP 所以： VinVTP+VDD 可见在此工作范围内，NMOS管截止， PMOS管处于线性电阻区。 A区 CMOS倒相器直流特性分析 A区 0?Vin?VTN，NMOS管截止，IDSN=0。 PMOS管导通 Vout=VDD VDSN=VDD VDSP=0 NMOS管截止， PMOS管处于线性电阻区。 Vin≥VTN时．在此阶段内，由于NMOS管刚导通，输出电压也没有发生显著变化，所以PMOS管仍维持在非饱和状态；但是NMOS管导通，NMOS管工作在饱和区，有： 由上式可求得输出电压是： B区 由： VGSN - VTN =Vin- VTN VDSN= Vout 可推出： VinVDSN+VTN= Vout +VTN 且： Vin-VDD-VTP