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- 2019-08-29 发布于辽宁
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(2)LM386典型应用电路 由LM386构成的典型电路如图3-26所示。电路中,5脚输出接 R2、C4 构成串联补偿网络,与感性负载(扬声器)并联,使等效负载近似呈纯电阻性,以防止高频自激和过压现象;C3 为输出耦合电容;7脚外接的C2 为高频旁路电容,用以抑制纹波,消除自激;1、8脚间接入 R1、C1 串联电路,调整 R1可使电压放大倍数连续可调,且 R1 越大,放大倍数越小。 * 2.TDA2030 (1)TDA2030集成电路 * (2)TDA2030典型应用电路 用 TDA2030构成的典型功放电路如图3-28所示。 * * 一、场效应管 晶体管三极管是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化,从而实现信号放大功能的,属电流控制型器件。场效应晶体管(FET)简称场效应管,是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件,属于电压控制型半导体器件。图3.30所示为一些常见的场效应管外形图。场效应管也称单极型晶体管。 第三节 场效应管放大器 * 1.场效应管的结构和符号 根据结构不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类,如图3.31所示。 * (1)结型场效应管(JFET) 结型场效应管(JFET)的结构和电路符号如图3-32所示,因有两个 PN 结而得名,
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