电子技术第二章 交流放大电路.pptVIP

* * 图2-14 功率放大电路的组成 * 图2-15 例2-2的图 * 2-3 场效应管及其放大电路 一、场效应管 1.结构概述 像图2-16那样，在一块P(或N)型基片上，用半导体工艺形成两个N型区(以N型材料为基片时形成两个P型区)。在二N(或P)区间覆盖一层氧化物(如SiO2)绝缘，再在其上覆盖一层金属(如Al)。分别从金属层和两个N(或P)区引出三个电极——栅极G、源极S和漏极D。封装起来，就制成另一种半导体三极管。管脚G、S、D的作用与NPN型(或PNP型)三极管的B、E、C相似。这种三极管依赖G、S间电压ugs变化引起极间电场变化，从而控制漏极电流iD的变化。它是电压控元件，有别于电流控双极型三极管，称场效应三极管。 * 图2-16 场效应管结构与符号 * * 图2-17 耗尽型NMOS场效应管的V—A特性 * 2.电路符号与V—A特性 FET的V—A特性指的是：UDS为定值时，UGS和ID的关系曲线，称转移特性；UGS为定值时，UDS与ID的关系曲线，称输出特性。见表2-1。现以耗尽型NMOS管为例，分析如下。 3.主要参数 主要参数是选择、使用FET的依据。简介如下。 (1)跨导gm gm定义为UDS不变时，栅源电压变化量ΔuGS和由它引起的漏极电流变化量ΔiD的比值。 * 图2-18 场效应管微变等效电路 * (2)夹断电压UP 使耗尽型场效应管截止