电子技术第一章 半导体二极管、三极管.pptVIP

一、结构与符号 用合金法或扩散法在一片1～15 μm厚的P型基片上形成两个N型区，就构成一只NPN型晶体管的管芯，如图1-19(a)所示，三个区域分别称发射区、基区和集电区。由于载流子浓度的差异，在P区与N区的交界面产生载流子扩散与漂移，形成两个PN结。其中，基区与发射区间的PN结称发射结；基区与集电区间的PN结称集电结。从发射区、基区和集电区分别引出三个电极——发射极E、基极B和集电极C。用管壳封装就制成一只NPN型晶体管。用二极管示意PN结的NPN型晶体管的示意图，如图1-19(b)所示。NPN管的符号如图1-19(c)所示。 * 图1-19 NPN型晶体管的示意图与符号 * 图1-20 PNP型晶体管的示意图与符号 * 二、电流分配与电压极性 像图1-21那样，给晶体管发射结加正向电压(习惯称正向偏置或正偏)时，使得发射区的电子向基区扩散。其中某些电子与基区本来很少的空穴复合，并由基极电源UB向基区提供空穴。从而形成从基极流向射极的基极电流IB。它也是射极电流IE之一；占IE的很小部分。 * 图1-21 晶体管内部载流子运动 与IB、IC、IE的形成 * 图1-22 晶体管的电流分配与电压极性 * 三、V—A特性与微变等效电路 1.输入电路与输入特性 根据NPN管工作时VC＞VB＞VE的特点接成图1-23(a)。在基极电路中串联微安表，测量基极电流IB；在基射极间