模拟电子技术模电之二极管课件.ppt

PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加反向电压时截止 PN结加反向电压时截止 PN结加反向电压时截止 PN结加反向电压时截止 归纳： PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 3. PN结V-I特性的表达式 雪崩击穿：掺杂浓度低，反向电压下少子漂移速度加快撞击共价键，电子雪崩般增多； 齐纳击穿：掺杂浓度高，耗尽区窄，反向电压破坏共价键 3.3.2 二极管的V-I特性 3.3.2 二极管的V-I特性 3.3.2 二极管的V-I特性 3.3.3 二极管的主要参数 IF：最大整流电流 3.3.3 二极管的主要参数 1.理想二极管的正向电阻为 -- ，反向电阻为 ____。 2.放大电路的四种组态分别是________、________、________、__________。 3．在本征半导体中加入( )元素可形成N 型半导体，加入( )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将( ) 。 A.增大 B.不变 C.减小 1.零 ；无穷大 2.电压放大电路；电流放大电路；互导放大电路；互阻放大电路 3.A、C 4. A 4. 二极管电路如图4（a）所示，设二极管为理想的。 试求电路的传输特性（vo～vi特性），画出vo～vi波形；（7分） 假定输入电压如图4（b）所示，试画出相应的vo波形。（3分） 作业 1-3 1-6 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 3.5.1 齐纳二极管 只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为VZ！ 3.5.2 变容二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 3.5.4 光电子器件 1. 光电二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 3.5.4 光电子器件 2. 发光二极管 符号 光电传输系统 3.5.4 光电子器件 3. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 {end} i/mA UBR u/V i=-IS ＋ － ＋ － 式中： iD: 通过PN结的电流； vD: PN结两端的外加 电压； VT: 温度的电压当量，在常温(300K)下，VT≈26mV（※）； IS: 反向饱和电流 IF IR (μA) 当加正向电压时： u为正值，表达式等效成 ： 当加反向电压时： u为负值，表达式等效成 ： 常数 指数关系 i/mA UBR u/V i=-IS ＋ － ＋ － IF IR (μA) 3. PN结V-I特性的表达式 i/mA UBR u/V i=-IS ＋ － ＋ － IF IR (μA) PN结的反向击穿： 反向击穿电压 反向击穿 电击穿 热击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 可逆 不可逆 3.2.4 PN结的反向击穿 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 四、PN 结的电容效应 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 Uth UBR uD/V iD/mA iD/μA 硅管约为0.5V 锗管约为0.1V 它的大小与二极管的材料及温度等因素有关。 几点