数字集成电路设计第2章制造工艺.pptVIP

版图是集成电路从设计走向制造的桥梁，它包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。 2.2 CMOS集成电路的制造 2.2.1 硅圆片 制造芯片的基础材料是一个单晶轻掺杂圆片。典型直径在4-12英寸之间，厚度最多为1mm。 一个初始的P-型圆片的掺杂水平大约为2*1021杂质/m3，通常圆片的表面掺杂重些 2.2.2 光刻 作用：当要进行某些工艺步骤，如氧化、刻蚀、金属和多晶硅淀积，离子注入等时，需要把某一些区域采用对应的光掩模遮蔽起来，从而对其它露出来的区域进行上述的工艺步骤． 集成电路最小特征尺寸的不断缩小已成为半导体制造设备开发者的沉重负担。因为要转移的特征尺寸超出光源的波长范围使达到所需要的分辨率和精度变得越来越困难。 当线宽小到和光源波长可以比拟时，便会产生衍射现象，这时根本就无法暴光。 2.2.3一些重复进行的工艺步骤 离子注入：它的掺杂剂是以离子的形式进入材料。 它会引导离子扫过半导体表面，离子的加速度决定了它们穿透材料的深度，离子流的大小和注入时间决定了剂量。因此离子法可以独立控制注入深度和剂量。 副作用：破坏晶格。即高能量注入过程中原子核碰撞，造成衬底原子移位，使材料出现缺陷，可采用退火工序解决。 淀积：即在圆片上反复淀积材料层。例如可化学气相淀积（CVD）产生多晶，采用溅射工艺形成铝互连层。 2.2.4简化的CMOS工艺流程 2.3 设