第6章半导体存储器与可编程逻辑器件.pptVIP

NOR与NAND比较 寿命长、成本低 随机访问 优势 页 字节 读取单位 页（典型为528Byte） 字节 编程单位 小块（8～32KB） 块 擦除单位 很低 高 价格 顺序访问 随机访问 访问方式 FN隧道穿越 热电子注入 编程方式 FN隧道穿越 FN隧道穿越 擦除方式 100 000～1 000 000 10 000～100 000 擦除次数 快 较快 读 快 慢 写 快（4ms以下） 慢（5s） 擦除 工作速度 不可以（类似硬盘） 可以（类似RAM） 程序直接运行 （XIP，eXecute In Place） 大容量（16GB或更高） 中等容量（256MB） 容 量 NAND Flash ROM NOR Flash ROM 参 数 2．单比特单元SLC与多比特单元MLC Single Level Cell VS Multiple Level Cell(主要指2比特) 目前，多比特单元已经成为主流！尤其是超大容量的Flash ROM (TLC也开始商业化了！) Kingston 1G SD card 左侧为三星K9G808U0M MLC Flash ROM 2bits/cell 右侧为SD控制芯片 虽然，ROM可读也可写，但写入速度慢，另外写入或擦除操作是有损操作，SIO2绝缘层很薄，随着写操作次数增加，也在不断损耗，一旦绝缘层彻底击穿，将不能再编程。所以可写RO