第二章 半导体三极管与分立元件放大电路.ppt

（二）用万用表粗测晶体三极管性能 本章小结 1、双极型半导体三极管有NPN、PNP两大类。IE=IB+IC它的输入特性曲线与二极管类似，输出特性曲线分饱和、放大、截止、击穿四个区。 2、三极管主要参数有极间反向饱和电流ICBO、ICEO；电流放大系数α、β；极限参数U（BR）CEO、U（BR）CBO、 、ICM 、U（BR）EBO、PCM等，温度升高反向饱和电流增加、反向击穿电压下降、值增大。选管时应选在几十至一百多倍反向饱和电流尽量小的管子。 3、放大体现了信号对能量的控制作用。放大电路输出信号的能量是由电源提供的。 4、放大电路的组成应遵循四条基本原则:要保证三极管有合适的静态工作点，处于放大工作状态，要使变化的信号能输入、能输出且基本不失真。 5、放大电路存在两种状态：未输入信号时的静态和输入信号时的动态。静态值在特性曲线上对应的点为静态工作点。动态时交流信号迭加在静态值上，其动态工作点沿交流负载线运动，但不能超出三极管的放大区，否则会产明显的非线性失真。 6、对放大电路的定量分析，一是确定静态工作点，分析方法有图解法和近似估算法。这两种方法各有优缺点和一定的适用范围。二是求出动态时的性能指标，小信号放大电路可用微变等效电路法，也可直接用经验公式。 7、放大电路的主要性能指标有：放大倍数(衡量放大能力)、输入电阻(反映放大电路对信号源的影响程度)、输出电阻(反映放大电路的带负载能力)、上限和下限截止频率(反映放大电路对信号频率的适应能力)、最大不失真输出幅值(反映放大电路的最大输出能力)。 8、三极管放大电路有共射、共集和共基三种组态 9、分压式工作点稳定电路可以克服温度和其他因素对工作点的影响，提高电路的稳定性。 10、场效应管是一种利用外加电压产生的电场改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的半导体器件，它有结型和绝缘栅型两种。前者利用耗尽层的宽度来改变导电沟道的宽窄，后者则利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄。 11、场效应管是单极型的电压控制器件，它有共源、共漏和共栅三种组态。自偏置电路仅适用于JFET和耗尽型MOS管，分压式偏置电路适用于所有FET。 12、多级放大电路各级之间的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合和光电耦合四种；一般集成电路采用直接耦合。 13、放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管极间电容和分布电容的影响，在低频区下降的主要原因是耦合电容和射极旁路电容的影响。其中，射极旁路电容对下限截止频率fL的影响是最主要的。电压放大倍数与频率的关系从一个侧面描述了放大器的频率特性，它分为幅频特性和相频特性。 14、因放大电路的通频带BW不够宽，使输出信号波形失真，统称为频率失真。它包括幅度失真、相位失真。频率失真是线性失真。 一、幅频和相频特性曲线的定性分析 图2.8.1 考虑极间电容时的共射放大电路 1、上、下限截止频率 当信号频率下降或上升而使电压放大倍数下降到中频区的0.707倍时所对应的频率分别称为下限截止频率fL和上限截止频率fH 。这时相应的附加相移分别为+45°和–45°。 2、通频带 fL与fH之间的频率范围称为通频带，用BW表示，即 BW＝fH－fL。 3、频率特性曲线 共射放大电路频率特性曲线如下图所示，可将频率范围划分成三个区域分析。 (1) 中频区( fL＜f＜fH ) (2) 低频区( f ＜ fL ) (3) 高频区( f ＞fH ) 图2.8.2 共射放大电路频率特性曲线 （a）幅频特性 （b）相频特性 二、频率失真 幅度失真：由于放大电路对不同频率分量的放大倍数不同引起输出信号的波形失真。 相位失真：由于放大电路对不同频率分量的相移不同而造成输出信号的波形失真。 1、幅度失真和相位失真统称为频率失真，产生原因是放大电路的通频带BW不够宽。 2、失真分为线性失真和非线性失真。 频率失真为线性失真。避免方法：应使信号的频率范围在放大电路的通频带内。 非线性失真：因放大器件的非线性，工作在非线性区引起(截止、饱和、截顶)失真。避免方法：①使放大器件有合适Q点；②输入信号不能过大。 三、共射基本放大电路波特图 图2.8.3 共射基本放大电路的频率特性波特图 （a）幅频特性 （b）相频特性 工程上将幅频特性和相频特性曲线的横坐标采用对数刻度，以扩展频率范围；而纵坐标上的电压放大倍数用电压增益分贝数表示，相位差仍用线性刻度，这种对数频率特性曲线称为波特图。 一、三极管的频率参数 1、共射截止频率fβ