第二章版图设计规则.ppt

Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Poly1作用： 1.Poly1最主要的作用是用于制造MOSFET的栅。 2.Poly１还经常和Poly２一起制造PIP电容（多晶硅１ －绝缘层－Poly２）。 3.Poly电阻 4.Poly互连 在一些特殊情况下，Poly可以用作互连线。Poly 做互连线最大的问题是Poly的方块电阻数量级比较大， 大约在20欧姆 /；此外Poly离衬底比较近，和衬底之 间的寄生电容比较大，因而通过Poly的延迟比通过金属 的延迟大。 Poly电容和Poly电阻我们会在后面做专门介绍。 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly 晶体管中栅结构的制作是流程中最关键的一步，因为 它包含了最薄栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻蚀，而 多晶硅栅的宽度通常都是整个硅片上最关键的线宽。 1.栅氧化层的生长 2.多晶硅淀积 3.多晶硅掩膜制作 4.多晶硅栅刻蚀 SiO2 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Pwell SiO2 P－type Si 场氧 场氧 场氧 薄氧 SiO2 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Pwell SiO2 P－type Si 场氧 场氧 场氧 poly Poly Nwell Copyright by Mo Bing poly 版图层次定义 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal active 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 SiO2 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Pwell SiO2 P－type Si 场氧 场氧 场氧 poly MASK poly 光刻胶 SiO2 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Pwell SiO2 P－type Si 场氧 场氧 场氧 MASK poly 光刻胶 poly SiO2 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Pwell SiO2 P－type Si 场氧 场氧 场氧 poly SiO2 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly Pwell SiO2 P－type Si 场氧 场氧 场氧 poly Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 Poly 1.Poly跨过有源区时，源、漏和沟道自对准于栅，这 也称为自对准工艺。 2.在不制作器件时，禁止多晶跨过有源区，避免产生 寄生器件。 3.多晶在形成器件时，需要超过有源区一定距离，保 证源漏不会发生短路. Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 P+/N+ CON 金属 通孔 ?P+/N+扩散区 ? 接触孔 ?金属层(Metal) ? 通孔（VIA） Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 P+/N+扩散区 有源区的掩膜板主要用于打开离子注入的窗口。 而P+和N+扩散区的作用在于实现离子的注入，从而 控制硅的掺杂类型。 前面完成的多晶硅栅可以作为NMOS和PMOS的 源/漏的自对准掩膜，注入可以按照任意顺序进行， 可以先进行N型源漏的注入，也可以先进行P型源漏 的注入（具体顺序视工艺线情况）。 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 版图层次定义 P+/N+扩散区 P+和N+的作用 1. NMOS和PMOS的源/漏区 2. 金属1和N阱（N+扩散区）或P衬底（P+扩散区）的 接触 3. N+电阻或P+电阻 4. 二极管N区（N+扩散区）或P区（P+扩散区） 5. 寄生PNP管N区（N+扩散