Q_DXSJJ0008-2019碳化硅单晶片企业标准.pdf

ICS 29.045 H 83 北 京 世 纪 金 光 半 导 体 有 限 公 司 企 业 标 准 Q/DXSJJ 0008－2019 代替Q/DXSJJ 0008－2018 碳化硅单晶片 Polished monocrystalline silicon carbide wafers 2019—08—06发布 2019—08—15实施 北京世纪金光半导体有限公司 发布 Q/DXSJJ 0008-2019 目 次 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 3.1 产品代码 1 3.2 产品编码 1 4 要求 2 5 检验方法 6 5.1 几何参数 6 5.2 表面取向 7 5.3 表面缺陷 7 5.4 微管密度 7 5.5 结晶质量 7 5.6 电阻率 7 5.6.1 导电型碳化硅晶片的电阻率测量按GB/T 6616 规定的方法进行。 7 5.6.2 半绝缘碳化硅晶片的电阻率测量按附录F 规定的方法进行检测。 7 5.7 多型 7 5.8 总可用面积百分比 7 5.9 包装质量 7 5.10 晶锭定级 7 5.11 碳包裹物 8 5.12 位错密度 8 6 检验规则 9 6.1 检验分类 9 6.1.1 出厂检验 9 6.1.2 型式检验 9 6.2 检验项目 9 6.2.1 出厂检验项目 9 6.2.2 型式检验项目 10 6.3 组批规则与抽样方案 10 6.3.1 检验批 10 6.3.2 单位产品 10 6.3.3 出厂检验抽样方案 10 6.3.4 型式检验抽样方案 11 I Q/DXSJJ 0008-2019 6.4 抽样或取样方法 11 6.4.1 出厂检验 11 6.4.2 型式检验 11 6.5 判定规则与复验规则 11 6.5.1 合格品判定规则 11 6.5.2 不合格品判定规则 11 6.5.3 复验规则 11 7 交货准备 12 7.1 包装 12 7.2 装箱 12 7.3 运输与储存 12 7.4 标志 12 7.4.1 合格证书 12 7.4.2 包装箱标志 12 7.4.3 标记 13 附 录 A （规范性附录）碳化硅单晶材料性能和晶片外形示意图 14 附 录 B （规范性附录）表面粗糙度测试方法 15 附 录 C （规范性附录）拉曼光谱测试方法 17 附 录 D （规范性附录）碳化硅抛光片几何参数的光学测量方法 21 附 录 E （规范性附录）高分辨XRD 摇摆曲线测试方法 24 附 录 F （规范性附录）碳化硅单晶片电阻率非接触测试方法 26 附 录 G （规范性附录） 碳化硅单晶片总可用面积百分比测试方法-光学表面分析仪法 29 II Q/DXSJJ 0008-2019 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准附录A、附录B、附录C、附录D、附录E、附录F、附录G是规