集成电路工艺1.ppt

集成电路工艺 信息学院 电子科学与技术 参考书： C.Y. Chang, S.M. Sze, “ULSI Technology” 王阳元 等,“集成电路工艺原理” M. Quirk, J. Serda, “半导体制造技术” 成绩计算： 平时成绩（出勤、作业、小测验）20％＋期终考试80％ 请假需有辅导员签名！补交作业，抄袭, 扣分！！ 本门课程共分几大块来介绍： 一、绪论 主要介绍微电子器件工艺的发展历史，集成电路的发展历史及工艺实例。 二、硅的晶体结构 主要介绍硅晶体的特点，晶向，晶面，缺陷，杂质等等。 三、热处理及离子注入 氧化，扩散，离子注入工艺 四、薄膜工艺 物理气相淀积，化学气相淀积，外延工艺 五、图形转移工艺 光刻与刻蚀 六、工艺集成 金属化与多层互连，工艺集成 七、后工艺，测试 减薄，蒸金，划片，烧结，键合，封装，测试 集成电路工艺分几大块技术： 图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻等 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂：根据设计的需要，将适量的各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、 接触等 离子注入： 退火 扩散： 制膜：制作各种材料的薄膜 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 Chap0 绪 论 Chap1 硅的晶体结构 Chap2 氧化 Chap3 扩散工艺 Chap4 离子注入工艺 Chap5 物理气相沉积 Chap6 化学气相淀积 Chap7 外延 Chap8 光刻与刻蚀工艺 Chap9 金属化与多层互连 Chap10 工艺集成 Chap11 后工艺 Chap12 器件的可靠性测试 集成电路制备主要工艺及设备 1.晶片制备 2.前道工艺 3.后道工艺 1.晶片制备 1.1 单晶拉伸：在适当的温度下，将特制的籽晶与熔化于坩埚内的高纯多晶材料相接触，在籽晶与坩埚相对旋转的同时，按一定速度向上提拉籽晶，使熔体不断沿籽晶晶向结晶，直接拉制成单晶。 相关设备单晶炉 1.2 切片：将半导体单晶按所需晶向切割成指定厚度的薄片 相关设备内圆切片机 多刀切割机 1.3 倒角：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 相关设备 倒角机 1.4 抛光：利用抛光剂对研磨后的晶片进行物理、化学的表面加工，以获取无晶格损伤的高洁净度、高平整度的镜面晶片。 相关设备 单/双面抛光机　单/多头抛光机 1.5 清洗：合理的清洗是保证硅片表面质量的重要条件。在晶片制备过程中需要多次清洗，以去除残留在晶片表面或边缘的废屑等。 相关设备 清洗机 冲洗甩干机 ?2. 前道工艺 2.1 外延：在单晶衬底晶片上生长一层具有与基片不同电子特性的薄硅层。 相关设备外延炉 2.2 氧化：在高温下，氧和水蒸气跟硅表面起化学作用，形成薄厚均匀的硅氧化层。 相关设备氧化炉 2.3 化学汽相淀积（CVD）：使一种或数种物质的气体以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积所需固体薄膜。 相关设备CVD设备 2.4 溅射：正离子受强电场加速，形成高能量的离子流轰击靶材，当离子的动能超过靶原子的结合能时，靶表面的原子就脱离表面，溅射到对面的阳极上，淀积成薄膜。 相关设备溅射台 2.5 光刻：将掩模图形转印到涂有光刻胶的衬底晶片上。对准和曝光是光刻工艺中最关键的工序 相关设备接触/接近式曝光机 分步投影曝光机 ?2.6 刻蚀：活性气体可使曝光区，在晶片表面建立几何图形。 相关设备刻蚀机 2.7 离子注入：先使待掺杂的原子电离，再加速到一定能量使之“注入”到晶体中，经过退火使杂质激活，达到掺杂目的。 相关设备离子注入机 3. 后道工艺 3.1 探针测试：对晶圆上的每个电路进行电性能测试及特性测试。 相关设备探针测试台 3.2 划片：将具有集成电路管芯的圆片用金刚砂刃具、激光束等方法分割成单独的管芯以便封装。 相关设备砂轮划片机 3.3 粘片：把集成电路芯片用银浆、银