第五章MOS场效应管的特性.ppt

集成电路设计基础Basic of Integrated Circuit Design 电子信息工程系 武 斌 第五章 MOS 场效应管的特性 MOSFET的噪声来源主要由两部分： 热噪声 (thermal noise) 闪烁噪声(flicker noise，1/f-noise) 5.5 MOSFET的噪声 MOS管特性 有源器件的噪声特性对于小信号放大器和振荡器等模拟电路的设计是至关重要的； 所有FET(MOSFET, MESFET等)的1/f 噪声都高出相应的BJT的1/f 噪声约10倍。这一特征在考虑振荡器电路方案时必须要给予重视。 热噪声 是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻生成热噪声电压 veg(T，t)，其等效电压值可近似表达为 Df为所研究的频带宽度, T是绝对温度. 设MOS模拟电路工作在饱和区, gm可写为 结论：增加MOS的栅宽和偏置电流，可减小器件的热噪声 MOS管特性 闪烁噪声(flicker noise，1/f -noise) 形成机理：沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电 闪烁噪声的等效电压值 系数K2典型值为3?1024V2F/Hz。 因为 ??1，所以闪烁噪声被称之为1/f 噪声。 电路设计时，增加栅宽W，可降低闪烁噪声。 MOS管特性 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down) MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 饱和区 结论1： L ? ? Ids? tox? ? Ids? L? +tox? ? Ids?? 减小L和tox引起MOSFET的电流控制能力提高 结论2： W ? ?Ids? ?P? 减小W 引起MOSFET的电流控制能力和输出功率减小 结论3：( L? + tox?+W?)?Ids=C ? AMOS? 同时减小L，tox和W， 可保持Ids不变，但导致器件占用面积减小，集成度提高。 总结论：缩小MOSFET尺寸是VLSI发展的总趋势！ Scaling-down MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 减小L引起的问题: L??Vds=C ? Ech?，Vdsmax?, 即在Vds≤Vdsmax不变的情况下，减小L将导致击穿电压降低. 解决方案： 减小L的同时降低电源电压VDD。 降低电源电压的关键：降低开启电压VT Scaling-down Scaling-down 1.8 3.3 5 12 20 VDD(V) 0.4 0.6 1 4 7-9 VT(V) 0.18 0.35 0.5 2 10 L(?m) 缩小尺寸后：栅长、阈值电压、与电源电压对比 降低VT 的方法 ： 1) 降低衬底中的杂质浓度，采用高电阻率的衬底; 2) 减小SiO2介质的厚度 tox。 2 MOSFET的动态特性影响 Ids：Ids(Vgs) R： Rmetal, Rpoly-Si, Rdiff C：Cgs, Cgd, Cds, Cgb, Csb, Cdb, Cmm, Cmb Cg = Cgs+Cgd+ Cgb ; 关键电容值 其等效于一个含有受控源Ids的RC网络。 MOSFET的动态特性(即速度)，取决于RC网络的充放电的快慢，进而取决于 电流源Ids的驱动能力，即跨导的大小； RC时间常数的大小， 充放电的电压范围，即电源电压的高低. Scaling-down * * Science and Technology of Electronic Information MOS管特性 Science and Technology of Electronic Information 5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压 5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小 5.7 MOS器件的二阶效应 MOS管特性 5.1.1 MOS管伏安特性的推导 两个PN结： 1）N型漏极与P型衬底； 2）N型源极与P型衬底。 同双极型晶体管中的PN 结 一样，在结周围产生了耗尽层。 一个电容器结构 栅极与栅极下面区域形成一个电容器， 是MOS管的核心。 MOS管特性 MOSFET的三个基本几何参数 栅长:L; 栅宽: W; 氧化层厚度: tox Lmin： MOS工艺的特征尺寸(feature size) L影响MOSFET的速度， W决定电路驱动能力和功耗 L和W由设计者选定,通常选取L= Lmin， 由此，设计者只需选取W MOS管特性 MOSFET的伏安特性:电容结构 当VGS=0，