npn型双极晶体管半导体器件课程设计解读.docVIP

微电子器件课程设计报告 题 目： NPN型双极晶体管 班 级： 微电0802班 学 号： 080803206 姓 名： 李子忠 指导老师： 刘剑霜 2011 年6月6日 目标结构 NPN 型双极晶体管 目标参数 最终从IV曲线中提取出包括fT和 Gain在内的设计参数. 三、在该例中将使用: （1）多晶硅发射双极器件的工艺模拟； （2）在DEVEDIT中对结构网格重新划分； （3）提取fT和peak gain. ATLAS中的解过程: 1. 设置集电极偏压为2V. 2. 用 log语句用来定义Gummel plot数据集文件. 3.用 extract语句提取BJT的最大增益maxgain以及最大 ft,maxft. Gummel plot:晶体管的集电极电流Ic、基极电流 Ib与基极-发射极电压 Vbe关系图(以半对数坐标的形式). 四、制造工艺设计 4.1.首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3,然后在基底上注入能量为18ev，浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层