第三章补充1半导体激光粒子数反转与光场分布.pptVIP

第三章补充 粒子数反转、光场限;目录1、半导体激光器结构2、阈;1、 FP-LD基本结构DFB;激光振荡模式☆半导体材料的增益;☆FP-LD纵模选模机理及光谱;如何获得单纵模工作？？FP-L;形成激光的三条件增益物质粒子数;粒子数反转条件推导：;自发光发射跃迁导带内能量为E2;受激光发射跃迁电子在能量为hv;受激光吸收跃迁 电子在能量为h;爱因斯坦（Einstein)关;净受激发射率r21net(st;有源区的受激发射必要条件--伯;粒子数反转与光增益光波通过介质;高斯函数近似增益分布、发光光谱;(1) 随着激励水平增加，能带;增益系数与电流密度的关系增益系;增益系数与电流密度的半经验关系;GaAs结论：名义电流密度有阈;增益饱和外加正向偏置接近势垒电;半导体激光器的模式理论☆纵模—;横模：垂直pn结方向平行pn结;☆ 垂直pn结方向的电约束和光;☆ 条形☆ 平行pn结方向的电;LD光波导坐标;☆LD X方向（垂直pn结）光;X方向介质光波导主要结构 简单;大光腔结构(LOC)——四层介;在有源层附近生长一个导波层的概;分别约束异质结构(SCH)——;☆y方向（平行pn结）的载流子;强折射率波导（△n≥1%） 将;弱折射率波导（△n≤1%） －;2、增益波导－－氧化物条形激光;☆对称三层介质平板波导中的本征;思路光场与激光二极管谐振腔中电;无损介质简谐波的波动方程： 在;解Z(z)