模拟电子技术第1章半导体器件j.pptVIP

N沟道耗尽型 （UGS=0时，有ID） G S D 0 UGS（off） ID UGS 夹断电压 UGS有正有负 N沟道增强型 （UGS=0时，ID =0 ） G S D ID UGS UGS（th） 开启电压 UGS全正 IDSS UGS=3V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=4V UGS=5V UGS=2V UGS=1V 开启电压UGS（th）=1V 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 增强型NMOS场效应管输出特性曲线 耗尽型NMOS场效应管 输出特性曲线 UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V 夹断电压UP=-2V 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 UGS=0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V gm= ? ID / ? UGS =（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V ? UGS ? ID 夹断区 可变电阻区 恒流区 结 束 理解PN结的单向导电性，三极管的电流放大作用； 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 会分析含有二极管的电路； 了解场效应管的工作原理。 注意