第一节 半导体的特性.pptVIP

第一章 半导体器件 第一章　半导体器件 1.1　半导体的特性 1.2　半导体二极管 1.3　双极型三极管(BJT) 1.4　场效应三极管 半导体器件是现代电子电路的重要组成部分。本章简要地介绍半导体的特性，讨论半导体的核心环节—PN结，阐述了半导体二极管、双极结型三极管（BJT）和场效应三极管（FET）的工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路和分析方法。 内容简介 1.1　半导体的特性 　　1. 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 　　2. 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体,电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 　　3. 半导体：另有一类物质的导电性能介于导体和半导体之间，称为半导体。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。热(光)敏特性 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。掺杂特性 硅原子结构 图 1.1.1　硅原子结构 (a)硅的原子结构图 最外层电子称价电子 价电子 锗原子也是 4 价元素 　　4 价元素的原子常常用+ 4 电荷的正离子和周围 4个价电子表示。 +4 (b)简化模型 1.1.1　本征半导体 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，一个原子处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 　　将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.2　单晶体中的共价键结构 　　当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.3　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T ? ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 　　空穴可看成带正电的载流子。 电子空穴对：由本征激发（热激发）而产生的自由电子和空穴总是成对出现的，称为电子空穴对。所以，在本征半导体中： ni=pi 。 空穴：共价键中的空位。 Home Next K1—常数，硅为3.87?10-6K-3/2/cm3，锗为1.76?10-6 K-3/2/cm3 ；T—热力学温度；EGO—禁带宽度，硅为1.21eV，锗为0.785eV ；k—波耳兹曼常数，8.63 ?10-5 eV/K。 Home Next 载流子：能够参与导电的带电粒子。 ：空穴可以看成是一个带正电的粒子，和自由电子一样，可以在晶体中自由移动，在外加电场下，形成定向运动，从而产生电流。所以，在半导体中具有两种载流子：自由电子和空穴。 半导体中载流子的移动 （1）两种载流子的产生与复合，在一定温度下达到动态平衡，则ni=pi的值一定； （2）ni与pi 的值与温度有关，对于硅材料，大约温度每升高8oC，ni 或pi 增加一倍；对于锗材料，大约温度每升高12 oC，ni 或pi 增加一倍。 视频 1、2 1.1.2　杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 施主原子 图 1.1.4　N 型半导体的晶体结构 (1-*) 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的