第1章_电力电子器件.pptVIP

?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小； 开关速度快，工作频率高； 热稳定性优于GTR； 电流容量小，耐压低，适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 按导电沟道可分为P沟道和N沟道；电力MOSFET主要是N沟道增强型 电力场效应晶体管 Power MOSFET IGBT的结构 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E IGBT的结构 沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力 GTR与MOSFET组成达林顿结构，由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻 IGBT的工作原理 ? IGBT驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器 件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 晶闸管为半控型器件。 晶闸管可能触发导通的其它条件： 阳极电压太高，晶闸管击穿； 阳极电压du/dt太大，晶闸管上结电容产生 电流Cdu/dt，导致晶体管发射极电流增 大，引起导通 结温太高，漏电流增大引起导通； 光触发：光直接照射在硅片上产生电子空穴 对，在电场作用下产生触发电流。 晶闸管的可能触发导通的其它条件 用万用表简单判断晶闸管三个极的方法 螺栓式晶闸管：直接判断 平板式晶闸管：引出线——门极 J3结有不太理想的二极管特性， 正、反向电阻为几十至几百欧，而J1、 J2结有标准二极管特性，则可用万用 表区分阳极和阴极，并大致判断好坏。 注意，测量时不能用万用表高阻档，以免高压击穿门极的pn结。测量时如发现任何两个极短路，或门极对阴极断路，则说明元件已损坏。 晶闸管的基本特性 晶闸管的静态特性----伏安特性 阳极伏安特性和门极伏安特性 晶闸管的动态特性---开关特性 晶闸管的基本特性-静态特性 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 正向特性 IG=0时，器件加正向电压，有很小漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，漏电流急剧增大，器件开通。 门极电流幅值增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 晶闸管的基本特性-静态特性 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 反向特性 类似二极管。 反向阻断时，只有极小反相漏电流。 反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 晶闸管的基本特性-动态特性 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A 开通过程tgt 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间为以上两者之和， tgt=td+ tr 晶闸管的基本特性-动态特性 100% 90% 10% u AK t t O 0 t d t r t rr t gr U RRM I RM i A 图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形 关断过程 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq以上两者之和tq=trr+tgr 普通晶闸管的关断时间约几百微秒 门极开路，晶闸管额定结温时，管子阳极电压升到正向转折电压之前，即管子正向漏电流开始急剧增大，伏安特性曲线急剧弯曲处，此时对应的阳极电压称为断态不重复峰值电压。 此电压不可连续施加且持续时间不大于10 ms的最大脉冲电压，且一般小于转折电压。晶闸管承受的电压若超过断态不重复峰值电压几次即会损坏报废。 晶闸管的电压参数-断态不重复峰值电压 晶闸管的电压参数-反向不重复峰值电压 门极开路，晶闸管承受反向电压时，对应反向漏电流开始急剧增大的电压值称为反向不重复峰值电压。 该电压是不可连续施加且持续时间不大于10 ms的反向最大脉冲电压。当晶闸管承受反向电压超过此值一次即可发生破坏性击穿而损坏。 晶闸管的电压参数-断态重复峰值电压和反向重复