无铅压电陶瓷.pptVIP

实验背景 目前使用最多的压电陶瓷材料主要是以PZT为基的二元及多元体系陶瓷材料，其中PbO（或Pb3O4）含量约占其原料总量的70%左右。但是PbO有毒、高温易挥发，在材料的制备过程中不仅会危害环境，而且使其化学计量式偏离计算配方，进而使产品的一致性和重复性降低，致使陶瓷性能下降。另外，含铅元器件废弃后也会给人类和生态环境带来危害。因此，不管是为了满足市场需求，还是出于对环境保护，压电陶瓷材料的无铅化是必然趋势，研发环境协调型无铅压电陶瓷已成为具有重大经济与社会意义的课题 实验依据 本实验以BNT基压电陶瓷中压电性能较为出色的（Na0.5Bi0.5）0.94Ba0.06TiO3（简称BNBT6）陶瓷作为研究对象。因为在BNBT6无铅压电陶瓷中，存在一个三方-四方的一个准同型相界，在此处BNBT6具有很优异的压电、介电性能。而且CeO2作为一种稳定性添加物，可以使陶瓷的体电阻率提高、机械品质因数和介电常数提高、损耗因子降低，所以选择CeO2 对BNBT6无铅压电陶瓷进行掺杂改性。 保温时间较短，陶瓷晶粒往往来不及发育长大，造成晶粒过小且晶界过多，从而烧成的陶瓷有大量的气孔存在，陶瓷的致密度很低，因而烧成的陶瓷样品的介电、压电性能很差。如果保温时间较长，烧成的陶瓷虽然晶粒排列相对致密，但在烧结保温后期较易出现晶粒异常生长的现象，从而导致陶瓷介电性能的恶化。只有保温时间适中时，烧成的陶瓷的晶粒排列紧密而均匀，气孔较少，致密度很高，这时烧成的陶瓷样品才有最佳的介电、压电性能。根据查阅相关文献，本实验的适宜的保温时间在2h～2.5h之间。 研究内容及思路 本课题要研究的内容是保温时间对掺杂CeO2的BNBT压电陶瓷性能影响的研究。研究的性能主要包括体积密度、压电性能和介电性能。通过查阅大量文献，实验方案拟定为：预烧温度为960℃，保温2小时，烧结温度为1 180℃，保温时间分别设置为：1h，1.5h，2h，2.5h，3h，CeO2的掺杂量为0.4 wt% 实验原料及用量 工艺过程 预 烧 预烧是指在低于熔点温度下，通过各种原料的固体界面和固体内部各原子（或离子）之间的扩散完成的固相化学反应过程。预烧有两个目的：一是使材料的固相化学反应充分均匀，生成组成固定的固溶体，以利于烧结时充分成瓷，结晶致密均匀，形成主晶相，提高陶瓷的压电性能。二是排除原料中的水分和二氧化碳等气体，减少瓷料的烧成收缩，便于控制成品的外形尺寸。一般地，预烧应遵循以下原则：必须使各配方组成的固相反应充分完成，游离氧化物含量达到最低极限，防止配方中各组分的还原以及易挥发组分的挥发。 合理的选择粉体预烧温度是获得致密性高性能优良压电陶瓷的前提条件。粉体预烧温度偏高时，主晶相合成比较完全，但粉料过硬造成粉碎困难，粉粒过度结晶，降低其活性，致使烧结推动力消弱，瓷体内气孔增多，影响陶瓷致密度；而预烧温度偏低时，反应不充分，粉料颗粒堆积不够紧密，接触面不够，难以在烧结中得到致密的陶瓷体。保温时间越长，原子或离子的扩散距离就越长，粉料具有较高活性，烧成的压电陶瓷结构均匀、质地致密、性能优良。 实验结果及分析 2 相对介电常数分析 介电常数随保温时间的增长先稍稍减小后增加达到最大值后随保温时间的增加而减小，在2.5h时，介电常数达到最大值。这是因为陶瓷主要由主晶相、气孔和玻璃相组成，介电常数主要受气孔和玻璃相影响。保温时间较短时陶瓷样片中含有大量气孔，晶粒分布不均匀，介电常数较小。随保温时间变长，气孔量减小，玻璃相增多，陶瓷样品变得致密使得介电常数增大。当保温时间超过2.5h后，由于Bi2O3等的挥发，陶瓷坯体的熔化，玻璃相过多导致晶粒分布不均，部分晶粒出现二次再结晶致使介电常数减小。因此，适宜的保温时间对获得优异的介电常数非常重要。 3 介电损耗分析 从图可以看出，介电损耗随保温时间的增加而降低，在2h时出现拐点稍有增加，而后又减少，在保温3h达到最低。保温时间较短时，陶瓷样品不够致密，晶粒分布不均匀，使得介电损耗偏大。随保温时间增大，陶瓷样品因液相量增多而变得致密，使得介电损耗降低。 4 压电常数分析 从图可以看出，陶瓷试片的压电常数随保温时间的增加而增加，到1.5h时达到最高值，而后又减小，且速度较快，到2.5h后，减小速度逐渐缓慢。保温时间较短时，坯体中存在一定量的气孔或孔隙等晶体缺陷，且陶瓷晶粒往往来不及长大，造成晶粒过小并且晶界过多，阻碍了电畴的转动，压电常数较小；保温时间较长时，容易出现过量的玻璃相，陶瓷晶粒异常长大和长得不均匀，晶格畸变，晶体缺陷增多，同样阻碍了电畴的转动，压电常数较小。保温时间适当时，在本实验中的1.5h时，促进陶瓷晶粒发育完整，烧结致密，晶体缺陷、气孔率降低，电畴很容易在外电场的作用下转动，故压电常数较大。 结 论 本实验采