透射电子显微镜TEM.ppt

透射电子显微镜TEM;内容;8.1 TEM 简介;电子显微镜发展史;透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope, TEM);为什么采用电子束而不用自然光？;1、显微镜的分辨率;自然光与电子束的波长;采用物镜的孔径角接近90度 考虑采用可见光波长极限390nm的光束照明显微镜系统，可得d≈200nm 对于TEM在100kV加速电压下，波长0.0037nm，d约为0.002nm，目前电子显微镜达不到其理论极限分辨率，最小分辨率达到0.1nm ;2、有效放大倍数;有效放大倍数;为什么采用电子束做为光源?;;EM420透射电子显微镜 （日本电子） 加速电压20KV、40KV、60KV、 80KV、100KV、120KV 晶格分辨率 2.04? 点分辨率 3.4? 最小电子束直径约2nm 倾转角度α=±60度 β=±30度;FEI Titan 80-300 kV S/TEM 世界上功能最强大的商用透射电子显微镜 (TEM)。已迅速成为全球顶级研究人员的首选 S/TEM，从而实现了 TEM 及 S/TEM 模式下的亚埃级分辨率研究及探索。;内容;8.2 透射电子显微镜结构原理;（一）电子光学系统;1.照明系统;（1）阴极;（2）阳极;（3）控制极（栅极）;(4) 聚光镜;(4)聚光镜;2、成像系统;（1）物镜;（2）中间镜;（3）投影镜;成像系统;成像系统;成像系统;阴极灯丝;3、观察纪录系统;（二）真空系统;（三）操作控制系统;二、 透射电子显微镜分辨率和放大倍数的测定;2、晶格分辨率的测定 利用外延生长方法制得的定向单晶薄膜作为标样，拍摄其晶格像。因位相差引起的干涉条纹，实际是晶面间距的比例像。;3、放大倍数的测定 ;内容;8.3 透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;1．初切薄片：从实物或大块上切割0.3～0.5㎜厚的薄片。;2.样品薄片的预减薄 方 法：机械法（手工磨制）和化学法 ;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备; 3. 最终减薄;透射电子显微镜样品制备;（3）缺点： 只适用于金属导体，对于不导电的样品无能为力。;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;双喷减薄与离子减薄的比较;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;透射电子显微镜样品制备;二级复型照片;二级复型照片;透射电子显微镜样品制备;内容;透射电子显微镜图像分析;一、质厚衬度像;质厚衬度;质厚衬度;质厚衬度;二、衍射衬度像;衍射衬度;双光束条件，单束成像 ;衍射衬度;衍射衬度;（二）衍衬运动学理论及应用;2、衍衬运动学简介;2）理想晶体的衍射强度;3）理想晶体衍衬运动学基本方程的应用;晶体上表面;等厚条纹明场像;条纹衬度特征比较;（2）等倾条纹;为什么倒易杆为2/t？;4）非理想晶体的衍射衬度;5） 晶体缺陷分析;层错相对位移矢量R 面心立方晶体中 平行于堆垛层切变 垂直于堆垛层方向上晶格的扩展或坍塌 抽出型层错(+) 嵌入型层错(-);不锈钢的倾斜层错;（2）位错;b;1．螺型位错;2．刃型位错;NiAl合金中的位错;不锈钢中析出相周围的位错缠结;位错缠结形成的晶界;（3）第二相粒子;明场像; 第二相粒子可以通过两种不同的方式造成衬度： （1）穿过粒子的晶体柱内衍射波，波振幅和位相发生了变化，叫做沉淀物衬度； （2）粒子的存在引起周围基本点阵发生局部的畸变，也是一种应变场衬度，叫做基体衬度。;三、相位衬度;相位衬度;高分辨TEM;在后焦平面上插上大的物镜光阑可以获得合成像，即高分辨电子显微像;高分辨像;晶格条纹像;A: 非晶态合金 B:热处理后微晶的晶格条纹像 C:微晶的电子衍射 明亮部位为非晶 暗的部位为微晶;一维结构像;二维晶格像;二维结构像; A: β 氮化硅的结构像 B: α氮化硅的结构像 C,e： β 氮化硅的模拟像和原子排列 D,f ：α氮化硅的结构模拟像和原子排列 ;13.2 衍衬成像原理