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微电子器件2-6; 求扩散电容 CD 的思路
对于给定的 V1 ，求出与之相应的 I1 ，可得到 PN 结的交流小信号导纳 ，Y 的实部为 PN 结小信号电导 gD ，Y 的虚部中即包含了 PN 结的扩散电容 CD ，即;上式中，由于 ，可利用近似公式 ;可见 x = 0 处的少子浓度由直流分量和交流小信号分量组成，该处少子浓度直流分量和交流小信号分量的边界条件分别为; ; 可将以上两个方程分别写为：; 解第一个方程可得 N 区内少子浓度分布的直流分量 p0(x) ，; 解第二个扩散方程; 将所得到的 p1(x)ejωt 代入空穴电流密度方程，可得到空穴扩散电流密度的交流分量，; 于是可得 PN 结正向扩散电流中的 交流分量 为; PN 结的 小信号交流导纳 为; 对于 P+N 单边突变结， 可见 CD 也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。; 当外加电压有 ( - ?V ) 的变化时，势垒区宽度发生变化 ，使势垒区中的空间电荷也发生相应的 ?Q 的变化。;势垒电容与扩散电容的比较; 图中 gl 为 漏电导 ，取决于 PN 结的加工质量与清洁程度 ，rs 为 寄生串联电阻 。这两个都是非本征元件。;24、31、34、39
思考题：28、33
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