纯LiNbO3晶体生长过程中的缺陷问题以及对晶体生长改进的若干看法.pdfVIP

Ift51934 此LiNb03晶体生长涟租中的若干缺陷问题 以及对 晶体 生长 口二艺 改进 的若 干若法 中文摘要:妮酸铿(LiNb亿)晶体作为一种优秀的非线性光学晶体，它在很多 科学研究方面都具有至关重要的地位。FI1iiiTK妮酸钾 (LiNbO,)H[7体最常用 的方法是提拉法 (Czochralski法)。我们研究的内容就是在提拉法生长妮酸铿 (LiNb久)品体中的放肩和收尾过程，对品体产生缺陷的影响。进而对提拉出 低缺陷晶休的合理意见。 关键词:妮酸铿提拉法放肩收尾低缺陷 ABSTRACT: Asakindofexcellentnon-linearopticalcrystal,LiNbO,isvery importantinmanyscientificresearches.Nowthewaymostlyusedtogrow LiNbO,isCzochralski.Ourresearchesaretheprocessesbothincreasing diameter anddecreasingdiameterandbreakingaway.From thesetwo processeswegettheinfluencetothecreationofcrystal’sdefects,and thengiveoutsomereasonableadvicesofgettinglow-defectcrystal KEYWORDS:LiNb认Czochralskidefectlow-defect 纯LiNUO.品体生K过程中的若干缺陷问题以及对品体生KT艺改进的若+看法 绪论 晶体的特点是，组成晶体的原子或分子在空间呈长程有序排列。品体又分 单晶体和多晶体。山于多晶体中存在晶粒间界，有许多关于固体性质的研究必 须在单晶体上进行，因此，单晶往往成为进行固态研究的必要前提，本论文I 要研究的对象也是单晶体。 单晶体经常表现出电、磁、光、声、热等方面的优异性能，用单晶做成的 元件或功能器件，应用于现代科学技术的许多领域。如果不是提供优质半异体 单晶.半导体工业的存在和发展是很难想象的。特别是六十年代激光技术的出 现，对单晶体的品种和质量提出了崭新的要求。 近几年来对泥酸铿 (LiNbO,)晶体的研究越来越多，作为一种优秀的II 线性光学晶体，它在很多科学研究方面都具有至关重要的地位。 单晶生长的方法是很多的，重要的包括:区域熔炼、熔AF法、气相’j:匕、 液相生长、提拉法、压力下生长法、水溶液法等。 由于能够在较短的时间内生长出大而少位错的晶体，提拉法在众多的I(品 生长方法中尤其引人注目。 然而，自然晶体或人造晶体的结构不可能十分完美，缺陷的存在是不，f(k 免的:我们的任务就是要研究它的结构、形态以及它的由来。存制作人IAl,休 中改进工艺，减少缺陷的数量.提高晶体的生长质量。 本论文的第一章介绍了泥酸铿晶体的性质和结构:第二章介绍了品体缺4, 的部分理论;第三章介绍了提拉法的工艺，以及单晶生长过程中缺陷形成的根 源问题:第四章讲述了通过实验分析提拉法尘长晶体的缺陷分布。 本论文的目的就在于。生长单晶的工艺过程中.如何去避免更多缺P4;(印11 现，逐步改进工艺过程中的细节问题. 纯LiNbG品体生长过程中的若十缺陷问题以及对品体生长T艺改进的若+看法 第一章:LiNb0,晶体的介绍 互1.1 引言 在激光科技领域内，科学家们始终追求的一个目标就是得到一种能从红外 区到紫外区连续可调的激光光源。这是因为。尽管目前的激光机制材料己经能 够产生在一定范围可调的相干光输出，但山于其可调谐的波长范围决定于激活 离子在激光介质中的增益带宽，因此他们的可调谐范围及其效率受到相当大的 限制。以目前可调谐范围最大的钦宝石 (Ti:A1:0,)激光器而言，其最大可调 谐范围也仅在670nm--1100nm之间，远不能满足激光技术发展需要。目前可采 用非线性光学晶体对激光波长进行变频，扩展